[发明专利]一种阵列基板膜层结构及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板膜层结构，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面的增透区上依次层叠设有第一栅极导电层、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源漏极导电层、第一钝化层、第一平坦层、第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层；

所述第一栅极绝缘层上开设有第一过孔，所述第一过孔中填充有第一源漏极导电层，所述第一源漏极导电层分别与第一栅极导电层、第一栅极绝缘层、第一有源层和第一钝化层接触，所述第一源漏极导电层上开设有第二过孔，所述第二过孔中填充有第一钝化层，所述第一钝化层分别与第一有源层和第一源漏极导电层接触，所述第一钝化层上开设有第三过孔，所述第一平坦层上开设有第四过孔，所述第四过孔与第三过孔相对设置且相通，所述第三过孔和第四过孔中均填充有第一阳极层，所述第三过孔中的第一阳极层分别与第一源漏极导电层和第一钝化层接触，所述第四过孔中的第一阳极层分别与第一平坦层和第一画素定义层接触，所述第一画素定义层上开设有第五过孔，所述第五过孔中填充有第一有机发光层，所述第一有机发光层分别与第一阳极层、第一画素定义层和第一阴极层接触；

所述第一栅极导电层、第一源漏极导电层和第一阳极层的材质均为透明导电材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第一平坦层与第一阳极层之间还设有金属反射层，所述金属反射层分别与第一平坦层和第一阳极层接触。

3.根据权利要求1所述的阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第一有机发光层为半透明第一有机发光层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第一有源层对应第一栅极导电层的位置设置。

5.根据权利要求1所述的阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第二过孔对应第一有源层的位置设置。

6.根据权利要求1所述的阵列基板膜层结构，其特征在于，所述第一源漏极导电层上还开设有第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层，所述第六过孔中填充的第一钝化层分别与第一栅极绝缘层、第一栅极导电层和第一平坦层接触。

7.一种权利要求1所述的阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一侧面的增透区上覆盖有第一栅极导电层；

S2、形成第一栅极绝缘层，且覆盖于所述第一栅极导电层表面，在所述第一栅极导电层中形成第一过孔；

S3、形成第一有源层，且覆盖于所述第一栅极导电层表面；

S4、形成第一源漏极导电层，所述第一源漏极导电层分别覆盖于第一有源层和第一栅极绝缘层表面且第一过孔中填充有第一栅极导电层；在第一源漏极导电层中形成第二过孔；

S5、形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖于第一源漏极导电层表面且第二过孔中填充有第一钝化层；在第一钝化层中形成第三过孔；

S6、形成第一平坦层，且覆盖于所述第一钝化层表面，在第一平坦层中形成第四过孔；

S7、形成第一阳极层，所述第一阳极层覆盖于第一平坦层表面且第三过孔和第四过孔中填充有第一阳极层；

S8、形成第一画素定义层，且分别覆盖于所述第一钝化层和第一阳极层表面，在第一画素定义层中形成第五过孔；

S9、在所述第五过孔中形成第一有机发光层；

S10、形成第一阴极层，且覆盖于所述第一画素定义层表面。

8.根据权利要求7所述的阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，步骤S6和步骤S7之间还包括以下步骤：

形成金属反射层，且覆盖于所述第一平坦层表面。

9.根据权利要求7所述的阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中在第一源漏极导电层中形成第二过孔的同时也形成第六过孔，所述第六过孔中填充有第一钝化层。

10.根据权利要求7所述的阵列基板膜层结构的制备方法，其特征在于，所述第一有机发光层为半透明第一有机发光层。