[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法

说明书

本发明公开了一种显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在基板上并且包括无机绝缘材料；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在氧化物半导体层上并且包括无机绝缘材料；和第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在栅电极上并且包括无机绝缘材料，所述栅电极设置在第二绝缘层上。氧化物半导体层包括第一导电区、第二导电区以及位于第一导电区和第二导电区之间的沟道区，并且根据方程式(1)，氧化物半导体层的沟道区中的HC的值小于30％。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年9月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0108938号的优先权和权益，其内容通过引用以它们的整体并入本文中。

技术领域

一个或多个实施方式涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术

显示装置的目的正在多样化。另外，随着显示装置已经变得更薄且更轻，它们的使用范围已经逐渐延伸。尤其，随着对高分辨率和大面积显示装置的需求增加，需要可小型化并且不受压降影响的高质量薄膜晶体管。

发明内容

一个或多个实施方式包括：包括晶体管(其包括氧化物半导体层)的显示装置和制造显示装置的方法。

根据一个或多个实施方式，显示装置包括：基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在基板上并且包括无机绝缘材料；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在氧化物半导体层上并且包括无机绝缘材料；栅电极，所述栅电极设置在第二绝缘层上；以及第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在栅电极上并且包括无机绝缘材料。氧化物半导体层包括第一导电区、第二导电区以及位于第一导电区和第二导电区之间的沟道区。氧化物半导体层的氢浓度在约5×10²⁰个原子/cm³至约2×10²¹个原子/cm³的范围内，并且根据方程式(1)，氧化物半导体层的沟道区中的HC的值小于30％：HC＝(Max-Min)/Avg×100％------方程式(1)，其中Max表示从沟道区内的多个点检测的最大氢浓度值，Min表示从沟道区内的多个点检测的最小氢浓度值，并且Avg表示从沟道区内的多个点检测的平均氢浓度值。

沟道区的氢浓度可在约1×10²¹个原子/cm³至约2×10²¹个原子/cm³的范围内。

第二绝缘层可包括氧化硅层。

第一绝缘层和第三绝缘层中的至少一个可包括氧化硅层或氮化硅层。

显示装置可进一步包括介于基板和第一绝缘层之间的金属层。

氧化物半导体层可包含氟并且氧化物半导体层的氟的浓度可在约5×10¹⁷个原子/cm³至约5×10¹⁸个原子/cm³的范围内。

金属层可包括底栅电极。