[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板；

第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述基板上并且包括无机绝缘材料；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述氧化物半导体层上并且包括无机绝缘材料；

栅电极，所述栅电极设置在所述第二绝缘层上；以及

第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述栅电极上并且包括无机绝缘材料，

其中所述氧化物半导体层包括第一导电区、第二导电区以及位于所述第一导电区和所述第二导电区之间的沟道区，并且

所述氧化物半导体层的氢浓度在5×10²⁰个原子/cm³至2×10²¹个原子/cm³的范围内，并且根据方程式(1)，所述氧化物半导体层的所述沟道区中的HC的值小于30％：

HC＝(Max-Min)/Avg×100％------方程式(1)，

其中Max表示从所述沟道区内的多个点检测的最大氢浓度值，Min表示从所述沟道区内的多个点检测的最小氢浓度值，并且Avg表示从所述沟道区内的多个点检测的平均氢浓度值。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述沟道区的氢浓度在1×10²¹个原子/cm³至2×10²¹个原子/cm³的范围内。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二绝缘层包括氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层和所述第三绝缘层中的至少一个包括氧化硅层或氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：介于所述基板和所述第一绝缘层之间的金属层。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述氧化物半导体层包含氟，并且

所述氧化物半导体层的所述氟的浓度在5×10¹⁷个原子/cm³至5×10¹⁸个原子/cm³的范围内。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述金属层包括底栅电极。

8.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自设置在所述基板上，

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个包括：

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区、第一导电区和第二导电区，其中所述第一导电区和所述第二导电区分别位于所述沟道区的两个相对侧上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层介于所述基板和所述氧化物半导体层之间；

栅电极，所述栅电极与所述氧化物半导体层的所述沟道区重叠；

第二绝缘层，所述第二绝缘层介于所述氧化物半导体层和所述栅电极之间；以及

第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上并且覆盖所述栅电极，

其中所述氧化物半导体层的氢浓度在5×10²⁰个原子/cm³至2×10²¹个原子/cm³的范围内，并且根据方程式(1)，所述氧化物半导体层的所述沟道区中的HC的值小于30％：

HC＝(Max-Min)/Avg×100％------方程式(1)，

其中Max表示从所述沟道区内的多个点检测的最大氢浓度值，Min表示从所述沟道区内的多个点检测的最小氢浓度值，并且Avg表示从所述沟道区内的多个点检测的平均氢浓度值。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述沟道区的氢浓度在1×10²¹个原子/cm³至2×10²¹个原子/cm³的范围内。