[发明专利]制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法、装置及产品

权利要求书

1.一种制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于，包括：

沉积纯SiO₂芯层基础粉体棒；

对纯SiO₂芯层基础粉体棒进行全溶液稀土掺杂处理，全溶液稀土掺杂处理时，将SiO₂芯层基础粉体棒在稀土掺杂溶液中浸泡2~24小时进行全溶液掺杂，所述稀土掺杂溶液中包括所有需要掺入的稀土原料和所有需要掺入的共掺原料，所述稀土掺杂溶液包含的稀土原料的化合物的浓度范围为0~10mol%，且该浓度不可以为0，所述稀土掺杂溶液包含的共掺原料的化合物的浓度范围为0~50mol%，且该浓度可以为0，稀土掺杂溶液的制备方法为将浓度分别为0.0324 mol/L、0.324 mol/L和0.324 mol/L的氯化镱、氯化铝和磷酸溶解于甲醇中制得稀土掺杂溶液；或稀土掺杂溶液的制备方法为将浓度分别为0.0324 mol/L和1.65 mol/L的氯化铝和氯化铒溶解于水中制得稀土掺杂溶液；或稀土掺杂溶液的制备方法为将浓度分别为0.15 mol/L、1.2 mol/L和1.2 mol/L的氯化镱、氯化铝和磷酸溶解于乙醇溶液中制得稀土掺杂溶液；

将浸泡结束后的芯层基础粉体棒进行处理制得预制棒芯层；

在预制棒芯层上沉积包层粉体棒，并对包层粉体棒进行处理后制得玻璃预制棒。

2.如权利要求1所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：沉积纯SiO₂芯层基础粉体棒的基础原料只有SiCl₄。

3.如权利要求1所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：浸泡完成后将芯层基础粉体棒置于玻璃化炉内进行脱水处理，脱水后在玻璃化炉内进行烧结制得预制棒芯层。

4.如权利要求1所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法，其特征在于：预制棒芯层沉积外包层时，纯SiO₂ 颗粒水解产生的粉尘粒子穿越火焰一层一层的吸附在转动的预制棒芯层上制得包层粉体棒，之后将包层粉体棒置于玻璃化炉内进行脱水和烧结处理，制得玻璃预制棒。

5.一种制备稀土离子掺杂光纤预制棒的装置，其特征在于：包括：

VAD设备，用于沉积纯SiO₂芯层基础粉体棒；

稀土掺杂溶液，对纯SiO₂芯层基础粉体棒进行全溶液稀土掺杂处理，全溶液稀土掺杂处理时，将SiO₂芯层基础粉体棒在稀土掺杂溶液中浸泡2~24小时进行全溶液掺杂，所述稀土掺杂溶液中包括所有需要掺入的稀土原料和所有需要掺入的共掺原料，所述稀土掺杂溶液包含的稀土原料的化合物的浓度范围为0~10mol%，且该浓度不可以为0，所述稀土掺杂溶液包含的共掺原料的化合物的浓度范围为0~50mol%，且该浓度可以为0，稀土掺杂溶液的制备方法为将浓度分别为0.0324 mol/L、0.324 mol/L和0.324 mol/L的氯化镱、氯化铝和磷酸溶解于甲醇中，制得稀土掺杂溶液；或稀土掺杂溶液的制备方法为将浓度分别为0.0324mol/L和1.65 mol/L的氯化铝和氯化铒溶解于水中，制得稀土掺杂溶液；或稀土掺杂溶液的制备方法为将浓度分别为0.15 mol/L、1.2 mol/L和1.2 mol/L的氯化镱、氯化铝和磷酸溶解于乙醇溶液中制得稀土掺杂溶液；

玻璃化炉，用于将浸泡结束后的芯层基础粉体棒进行处理制得预制棒芯层，以及对包层粉体棒进行处理制得玻璃预制棒；以及

OVD设备，用于在预制棒芯层上沉积包层粉体棒。

6.一种使用如权利要求1-4任一项所述的制备稀土离子掺杂光纤预制棒的方法制得的产品。