[发明专利]改善渗氮取向硅钢表面亮点缺陷的工艺方法有效
申请号: | 202010831225.7 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN112030168B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 田文洲;王雄奎;丁哲;肖光润;陈博;胡伟东 | 申请(专利权)人: | 武汉钢铁有限公司 |
主分类号: | C23F17/00 | 分类号: | C23F17/00;C21D1/26;C21D1/74;C21D3/04;C21D6/00;C21D8/12;C21D9/00;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/06;C22C38/16;C23C8/26 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 王和平;程杰 |
地址: | 430083 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 取向 硅钢 表面 亮点 缺陷 工艺 方法 | ||
本发明公开了一种改善渗氮取向硅钢表面亮点缺陷的工艺方法,属于炼钢技术领域。探究发现采用两段式或三段式干气渗氮退火工艺,不能彻底解决亮点缺陷的产生,其控制合适表面状态的工艺区间非常小,质量稳定性差,统计的亮点缺陷发生率在40%以上,因此在现有低温取向硅钢制造工艺基础上进行大量改进和优化,设计了本发明的三段式功能区渗氮工艺后,由于脱碳段、渗氮段、扩散段三个区的气氛界面的梯度更小,使得氧化层、渗N量及组织的均匀性和稳定性都得到明显提高,尤其是氧化层结构更加合理,其FeO/SiO2/FeSiO4的组分比例控制在更加合适的水平,成品的亮点缺陷发生率大幅下降,经统计,其亮点缺陷的发生率在5%以下。
本发明涉及一种改善钢板表面质量的方法,属于炼钢技术领域,具体地涉及一种改善渗氮取向硅钢表面亮点缺陷的工艺方法。
背景技术
取向硅钢是一种高导磁的金属功能材料,主要用于各种变压器、大型发电机组的铁芯制造,其制造工艺复杂,对工艺的控制精度要求高。采用渗氮技术生产高磁感取向硅钢是行业内最先进的制造工艺,主要通过脱碳退火工序补充性渗N,N与Als结合形成AlN作为最主要的抑制剂来控制二次再结晶行为,从而得到(110)[001]晶粒位向取向度更高、晶粒尺寸更均匀的成品,成品具有高的磁感应强度和低的铁损。
采用渗氮技术在生产过程中也存在一些质量风险点,由于渗氮后基体中N含量较高,在高温退火时,N原子形成N2分子从基体向外排放,N2冲破表层物质,使成品外观上呈现为圆形的金属亮点,影响到外观质量。
控制好表层的物质组成和N2的排放过程,是控制亮点缺陷发生的最核心技术。通过控制脱碳退火的工艺,可实现更宽工艺波动范围内获得更合适的表层组织结构,利于高温退火时N排放的同时而不破坏表层物质,从而得到磁性和外观都良好的取向硅钢成品,大幅降低实际生产过程中工艺波动导致的亮点缺陷发生率。
中国发明专利申请(申请公布号:CN102517592A,申请公布日:2012-06-27)公开了一种高磁感取向硅钢带渗氮处理方法。该方法包括步骤:
第一步,经冶炼、连铸,将铸坯加热到1100~1250℃、热轧、常化及冷轧后;在H2和N2干式混合气氛下进行脱碳退火,其脱碳退火温度800~900℃,退火时间50~180秒,控制钢带最终C≤25ppm;
第二步,进行一次性渗氮:在H2和N2干式混合气氛下进行渗氮,渗氮温度为700~900℃,按照2~4m3/吨钢通入NH3,并控制渗氮后总氮量100~300ppm;
第三步,进行渗氮后的均匀化处理:在H2和N2干式混合气氛下进行,处理温度为800~1050℃,均匀化时间15~60秒。
第四步,涂布氧化镁隔离剂;
第五步,在1160~1210℃进行高温退火。
第六步,进行涂布绝缘层、拉伸、平整工艺后,待用。
然而上述方法在实际生产取向电工钢时,脱碳效率低、成品表面容易出现亮点缺陷;尤其是在退火炉炉长偏短时,亮点缺陷的发生程度更严重。主要原因是采用干式脱碳和渗氮时,其表面氧化层偏薄、氧化物结构不理想,导致高温退火时N2的排放破坏了底层,从而形成亮点。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明公开了一种改善渗氮取向硅钢表面亮点缺陷的工艺方法,该工艺方法通过相关工艺控制可以得到磁性优良且底层致密、表面无亮点缺陷的产品。
为实现上述目的,本发明公开了一种改善渗氮取向硅钢表面亮点缺陷的工艺方法,它包括如下工艺步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉钢铁有限公司,未经武汉钢铁有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010831225.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。