[发明专利]一种激光退火装置有效

专利信息
申请号: 202010828514.1 申请日: 2020-08-17
公开(公告)号: CN111952157B 公开(公告)日: 2022-08-23
发明(设计)人: 张昆鹏;李纪东;张紫辰;侯煜;易飞跃;杨顺凯;李曼;张喆;王然;王瑜 申请(专利权)人: 北京中科镭特电子有限公司
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268;H01L21/66;H01L21/67
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 赵永刚
地址: 100176 北京市大兴区经济*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 激光 退火 装置
【说明书】:

发明提供了一种激光退火装置,该激光退火装置包括:保持晶圆的载物台、向晶圆发射激光光束以对晶圆进行退火的激光器组件,晶圆具有背离载物台的第一面、以及朝向载物台的第二面。还包括设置在载物台上方的测高仪、设置在激光器组件及晶圆之间的三轴振镜系统。测高仪测量晶圆的第一面上不同位置距离测高仪设定的参考面之间的高度差变化;三轴振镜系统移动激光器组件发射出的激光光束,以调整激光光束聚焦在晶圆上的焦点位置。还包括控制装置,控制装置根据测高仪测得的高度差变化,控制三轴振镜系统将焦点保持在晶圆上距离第一面为设定深度的层结构上。使激光光束的焦点位置根据晶圆第一面的凸凹波动上下调整,提高对晶圆退火的位置准确性。

技术领域

本发明涉及晶圆制造技术领域,尤其涉及一种激光退火装置。

背景技术

随着科学技术的进步和发展,激光已经作为一种工具应用在各行各业。由于激光的高亮度高强度的特性,且激光焦点的尺寸可以通过聚焦镜聚焦到微米量级,因此激光加工技术在有着高精度加工要求的行业中备受青睐,尤其是对于半导体行业晶圆制造的技术中,激光加工技术尤为受欢迎。

最初,对晶圆的退火处理时在包含许多晶圆(其支撑在支架中)的炉中进行。将电能供应到炉壁中的电阻加热器元件,以将它们加热到接近期望处理温度的温度。晶圆最终达到与炉壁基本相等的温度。在升高的温度下进行了期望时间长度的退火之后,不再将电能供应到电阻加热器,使得壁逐渐冷却,晶圆也逐渐冷却。尽管需求热处理时间可能相对较短,但是加热速率和冷却速率两者都相对较慢,在大约上15℃/min的量级。这些升高温度过程中的较长时间显著地增大了退火所需的热预算。在先进集成电路中的精细特征和薄层需要减小热预算。

发明内容

本发明提供了一种激光退火装置,用以解决由于晶圆表面不平整现象,导致激光退火的深度层上下波动的问题。

本发明提供了一种激光退火装置,该激光退火装置包括:保持晶圆的载物台、以及向晶圆发射激光光束以对晶圆进行退火的激光器组件,其中,晶圆具有背离载物台的第一面、以及朝向载物台的第二面。还包括设置在载物台上方的测高仪、以及设置在激光器组件及晶圆之间的三轴振镜系统。其中,测高仪测量晶圆的第一面上不同位置距离测高仪设定的参考面之间的高度差变化;三轴振镜系统移动激光器组件发射出的激光光束,以调整激光光束聚焦在晶圆上的焦点位置。还包括控制装置,控制装置根据测高仪测得的高度差变化,控制三轴振镜系统将焦点保持在晶圆上距离第一面为设定深度的层结构上。

在上述的方案中,通过设置测高仪、三轴振镜系统及控制装置,使测高仪在退火前及退火过程中,时刻测量晶圆的第一面不同位置距离参考面之间的高度差变化,控制装置通过控制三轴振镜系统,以使激光器组件发射出的激光光束始终聚焦在晶圆上距离第一面为设定深度的层结构上。使激光光束的焦点位置能够根据晶圆的第一面的凸凹波动进行上下调整,防止由于晶圆表面的凸凹波动,从而使激光光束的焦点位置在晶圆的不同深度层上下波动,从而提高对晶圆进行退火的位置准确性,提高退火效果。

在一个具体的实施方式中,晶圆的第一面具有待退火区域,待退火区域上具有三个不再同一条直线上的三个设定点,测高仪设置的参考面为与三个设定点所在的平面平行的平面。通过在退火前,测高仪先拾取第一面的待退火区域上的三个设定点的高程,以确定参考面,之后在退火过程中,根据待退火区域上的不同位置距离参考面的高度差变化,调整激光光束的焦点位置,以便于焦点保持在距离第一面为设定深度的层结构上,同时便于确定参考面。

在一个具体的实施方式中,载物台上具有放置晶圆的基准面;三轴振镜系统在x轴、y轴及z轴三个相互垂直的方向上调整激光光束聚焦在晶圆上的焦点位置,且x轴及y轴均与基准面平行,z轴与基准面垂直,以便于对三轴振镜系统进行调整。

在一个具体的实施方式中,控制装置根据测高仪测得的高度差变化,控制三轴振镜系统的z轴移动聚焦在激光光束聚焦在晶圆上的焦点,以使焦点保持在位于距离第一面为设定深度的层结构上,仅仅通过调整三轴振镜系统的z轴,即可实现焦点位置保持在距离晶圆的第一面为设定深度的层结构上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科镭特电子有限公司,未经北京中科镭特电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010828514.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top