[发明专利]一种激光退火装置有效
| 申请号: | 202010828514.1 | 申请日: | 2020-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN111952157B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
| 发明(设计)人: | 张昆鹏;李纪东;张紫辰;侯煜;易飞跃;杨顺凯;李曼;张喆;王然;王瑜 | 申请(专利权)人: | 北京中科镭特电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人: | 赵永刚 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 | ||
1.一种激光退火装置,其特征在于,包括:
保持晶圆的载物台,其中,所述晶圆具有背离所述载物台的第一面、以及朝向所述载物台的第二面;
向所述晶圆发射激光光束以对所述晶圆进行退火的激光器组件;
设置在所述载物台上方的测高仪,所述测高仪测量所述晶圆的第一面上不同位置距离所述测高仪设置的参考面之间的高度差变化;
设置在所述激光器组件及所述晶圆之间的三轴振镜系统,所述三轴振镜系统移动所述激光器组件发射出的激光光束,以调整所述激光光束聚焦在所述晶圆上的焦点位置;
控制装置,根据所述测高仪测得的高度差变化,控制所述三轴振镜系统将所述焦点保持在所述晶圆上距离所述第一面为设定深度的层结构上;
盛放所述载物台的加工腔,所述加工腔上设置有使所述激光器组件发射出的激光光束入射到所述晶圆上的窗口;
其中,所述晶圆的第一面具有待退火区域,所述待退火区域上具有三个不在 同一条直线上的三个设定点,所述测高仪设置的参考面为与所述三个设定点所在的平面平行的平面;所述加工腔外与所述窗口相对的位置设置有能够在三个相互垂直方向运动的运动平台,所述测高仪设置在所述运动平台上;所述测高仪位于所述加工腔外且与所述窗口相对的位置,
所述测高仪透过所述窗口测量所述晶圆的第一面的待退火区域上不同位置距离所述测高仪设置的参考面之间的高度差变化。
2.如权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述载物台上具有放置所述晶圆的基准面;
所述三轴振镜系统在x轴、y轴及z轴三个相互垂直的方向上调整所述激光光束聚焦在所述晶圆上的焦点位置,且所述x轴及y轴均与所述基准面平行,所述z轴与所述基准面垂直。
3.如权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述控制装置根据所述测高仪测得的高度差变化,控制所述三轴振镜系统的z轴移动聚焦在所述激光光束聚焦在所述晶圆上的焦点,以使所述焦点保持在位于距离所述第一面为设定深度的层结构上。
4.如权利要求3所述的激光退火装置,其特征在于,平行于所述基准面向上的方向为所述z轴的正方向;所述测高仪设置的参考面与所述三个设定点所在的平面之间的距离为H;
在所述测高仪测得的高度差大于H时,所述控制装置控制所述三轴振镜系统的z轴向z轴的负方向移动所述激光光束聚焦在所述晶圆上的焦点,以使所述焦点保持在位于距离所述第一面为设定深度的层结构上;
在所述测高仪测得的高度差小于H时,所述控制装置控制所述三轴振镜系统的z轴向z轴的正方向移动所述激光光束聚焦在所述晶圆上的焦点,以使所述焦点保持在位于距离所述第一面为设定深度的层结构上。
5.如权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述窗口与保持在所述载物台上的晶圆位置相对,且窗口的尺寸大于所述晶圆的尺寸。
6.如权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述运动平台上还设置有用于拾取所述晶圆的第一面上的图像的CCD相机。
7.如权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,在所述加工腔内还设置有用于翻转保持在所述载物台上的晶圆的机械手。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





