[发明专利]一种针对介质集成悬置线功放的散热结构

说明书

本发明公开了一种针对介质集成悬置线功放的散热结构，包括从上到下依次设置的第一导热板(1)、第二层介质板(2)、功放安装电路所在层介质板(3)、第四层介质板(4)和第二导热板(5)；功放安装电路所在层介质板上开孔设置有晶体管(8)；其中，第四层介质板在晶体管的正下方位置，开孔设置有一个导热金属块；导热金属块的底面，与第二导热板的顶面紧贴连接；导热金属块的顶面，与晶体管的底面紧贴连接；其中，第二层介质板在晶体管的正上方位置，开孔设置有一个导热垫；导热垫的顶面，与第一导热板的底面紧贴连接；导热垫的底面，与晶体管的顶面紧贴连接。本发明能够有效地对功率放大电路中的晶体管进行散热，保证晶体管的散热效果。

技术领域

本发明涉及射频微波电路技术领域，特别是涉及一种针对介质集成悬置线功放的散热结构。

背景技术

目前，功率放大器(功率放大电路)作为射频微波电路中的关键器件，其散热方面的问题越来越受到业界重视。

晶体管作为功率放大电路中的核心元件，既要承受流过的大电流，又要承受高电压，晶体管的耗散功率取决于晶体管内部的PN结温度，当结温超过允许值后，则漏极或集电极电流将急剧增大，从而烧坏管子。管子的功耗越大，则结温越高。

因此，通过改善功率放大电路中晶体管的散热条件，一方面可以使功率放大电路正常运行，另一方面可以在同样结温下，获得更高的集电极或漏极最大耗散功率，从而提高输出功率。

目前，国际会议“IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series onAdvanced Materials and Processes for RF and THz Applications (IMWS-AMP2017)”发表的DOI号为10.1109/IMWS-AMP.2017.8247365的文章“A 0.9GHz Self-packaged poweramplifier based on SISL platform”提出了一种基于介质集成悬置线(SISL)结构的功率放大器，所述介质集成悬置线功率放大器的核心电路位于SISL结构的第三层介质板上下两面，晶体管焊接固定于第三层介质板的上表面，晶体管底部通过第三层、第四层和第五层介质上填充满焊锡的金属通孔与外部环境实现热量交换，从而进行散热。上述文章中的SISL功放的散热存在以下不足：无法保证不同介质层焊锡的均匀填充和紧密连接，以实现高效的热通路，降低接触热阻，有效散热。

因此，目前还没有一种技术结构，能够有效地对介质集成悬置线功率放大电路中的晶体管进行散热，保证晶体管的散热效果。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术存在的技术缺陷，提供一种针对介质集成悬置线功放的散热结构。

为此，本发明提供了一种针对介质集成悬置线功放的散热结构，包括从上到下依次连接设置的第一导热板、第二层介质板、功放安装电路所在层介质板、第四层介质板和第二导热板；

功放安装电路所在层介质板上开孔设置有晶体管；

其中，第四层介质板在晶体管的正下方位置，开孔设置有一个导热金属块；

导热金属块的底面，与第二导热板的顶面紧贴连接；

导热金属块的顶面，与晶体管的底面紧贴连接；

其中，第二层介质板在晶体管的正上方位置，开孔设置有一个导热垫；

导热垫的顶面，与第一导热板的底面紧贴连接；

导热垫的底面，与晶体管的顶面紧贴连接。

其中，功放安装电路所在层介质板在晶体管底面正下方的位置，开有晶体管安装通孔；

该晶体管安装通孔上，安装有晶体管。