[发明专利]存储器装置、包括该存储器装置的存储器系统和操作方法在审
申请号: | 202010812799.X | 申请日: | 2020-08-13 |
公开(公告)号: | CN113284817A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 吴星来 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 包括 系统 操作方法 | ||
存储器装置、包括该存储器装置的存储器系统和操作方法。一种存储器装置包括:第一晶圆,其包括第一接合焊盘;第二晶圆,其包括第二接合焊盘并且层叠在第一晶圆上;以及第一测试图案。第一测试图案包括:一对第一测试焊盘,其设置在第一晶圆的其上限定了第一接合焊盘的一个表面上并且彼此电联接;一对第二测试焊盘,其设置在第二晶圆的其上限定了第二接合焊盘的一个表面上,并且在第一接合焊盘和第二接合焊盘之间未发生错位故障的情况下分别联接到所述一对第一测试焊盘;以及一对第三测试焊盘,其设置在第二晶圆的与所述一个表面背离的另一表面上,并且分别联接到所述一对第二测试焊盘。
技术领域
各种实施方式总体涉及半导体技术,更具体地,涉及一种存储器装置、一种包括该存储器装置的存储器系统和操作方法。
背景技术
近来,为了减少存储器装置的占用面积,使用了这样的方法:其中构成存储器装置的元件在单独的晶圆上制造,而不是在单个晶圆上制造,然后彼此结合。
发明内容
各种实施方式涉及能够有助于提高可靠性的一种存储器装置和一种存储器系统。
本公开的一个方面提供了一种具有接合晶圆的存储器装置,该接合晶圆具有便于测试晶圆错位的结构。在一个实施方式中,一种存储器装置包括:第一晶圆,其包括设置在第一表面上的第一接合焊盘;第二晶圆,其包括设置在第二晶圆的第二表面上并且与第一接合焊盘对应的第二接合焊盘,第二晶圆的第二表面接合在第一晶圆的第一表面上;以及第一测试图案,该第一测试图案包括:一对第一测试焊盘,其设置在第一表面上并且彼此电联接;一对第二测试焊盘,其设置在第二晶圆的第二表面上,并且当第一接合焊盘和第二接合焊盘之间未发生错位故障时分别联接到所述一对第一测试焊盘;以及一对第三测试焊盘,其设置在第二晶圆的与第二表面相对的第三表面上,并且分别联接到所述一对第二测试焊盘。
在本公开的一个方面,一种存储器系统可以包括结构元件,其能够通过提供提升电压来减轻代表晶圆错位的电压降。在一个实施方式中,一种存储器系统可以包括:存储器装置;以及存储器控制器,该存储器装置包括:第一晶圆,其包括设置在第一表面上的第一接合焊盘;第二晶圆,其包括设置在第二晶圆的第二表面上的与第一接合焊盘对应的第二接合焊盘,第二晶圆接合在第一晶圆上,使得第二接合焊盘与第一接合焊盘对准;以及第一测试图案,该第一测试图案包括:一对第一测试焊盘,其设置在第一表面上并且彼此电联接;一对第二测试焊盘,其设置在第二晶圆的第二表面上,并且分别联接到所述一对第一测试焊盘;以及一对第三测试焊盘,其设置在第二晶圆的与第二表面相对的第三表面上,并且分别联接到所述一对第二测试焊盘,其中,存储器控制器向所述一对第三测试焊盘中的一个施加测试电压,并且基于从另一第三测试焊盘测量的检测电压与测试电压之间的比率来生成上电信号,并且其中,第一晶圆响应于上电信号而向第一接合焊盘提供提升电压。
在一个实施方式中,一种检测存储器装置中的焊盘错位的方法包括以下步骤:提供存储器装置。该存储器装置包括:第一晶圆,其包括设置在第一表面上的第一接合焊盘;第二晶圆,其包括设置在第二晶圆的第二表面上并且与第一接合焊盘对应的第二接合焊盘,第二晶圆的第二表面接合在第一晶圆的第一表面上;以及第一测试图案。该第一测试图案包括:一对第一测试焊盘,其设置在第一表面上并且彼此电联接;一对第二测试焊盘,其设置在第二晶圆的第二表面上,并且分别联接到所述一对第一测试焊盘;以及一对第三测试焊盘,其设置在第二晶圆的与第二表面相对的第三表面上,并且分别联接到所述一对第二测试焊盘。检测存储器装置中的焊盘错位的方法还包括:向所述一对第三测试焊盘中的一个施加测试信号;从所述一对第三测试焊盘中的另一个测量输出信号;以及基于输出信号来检测焊盘错位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造