[发明专利]存储器装置、包括该存储器装置的存储器系统和操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

第一晶圆，该第一晶圆包括设置在第一表面上的第一接合焊盘；

第二晶圆，该第二晶圆包括设置在所述第二晶圆的第二表面上并且与所述第一接合焊盘对应的第二接合焊盘，所述第二晶圆的所述第二表面接合在所述第一晶圆的所述第一表面上；以及

第一测试图案，

该第一测试图案包括：

一对第一测试焊盘，所述一对第一测试焊盘设置在所述第一晶圆的所述第一表面上并且彼此电联接；

一对第二测试焊盘，所述一对第二测试焊盘设置在所述第二晶圆的所述第二表面上，并且当在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘之间未发生错位故障时所述一对第二测试焊盘分别联接到所述一对第一测试焊盘；以及

一对第三测试焊盘，所述一对第三测试焊盘设置在所述第二晶圆的与所述第二表面相对的第三表面上，并且分别联接到所述一对第二测试焊盘。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆中的每一个还包括多个芯片区域和位于所述多个芯片区域之间的划片槽区域，并且

其中，在所述第二晶圆的所述多个芯片区域中的每一个中设置存储器单元阵列，并且在所述第一晶圆的所述多个芯片区域中的每一个中设置用于控制所述存储器单元阵列的操作的外围电路。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一晶圆还包括联接所述一对第一测试焊盘的互连结构。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述互连结构包括在所述第一晶圆中限定的开关晶体管。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述互连结构包括还用于实现所述外围电路的半导体层或者布线层。

6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一测试图案设置在所述划片槽区域中。

7.根据权利要求2所述的存储器装置，

其中，所述多个芯片区域中的每一个包括单元区域和联接区域，

其中，多个层间介电层和多个电极层交替层叠并且设置在所述第二晶圆的所述单元区域中，并且所述多个层间介电层和多个介电层交替层叠并且设置在所述第二晶圆的所述联接区域中，并且

其中，所述第一测试图案设置在所述联接区域中。

8.根据权利要求2所述的存储器装置，

其中，所述多个芯片区域中的每一个包括单元区域和联接区域，

其中，多个层间介电层和多个电极层交替层叠并且设置在所述第二晶圆的所述单元区域中，并且介电层设置在所述第二晶圆的所述联接区域中，所述联接区域与交替层叠并设置在所述第二晶圆的所述单元区域中的所述多个层间介电层和所述多个电极层相邻，并且

其中，所述第一测试图案设置在所述联接区域中。

9.根据权利要求2所述的存储器装置，

其中，所述多个芯片区域中的每一个包括：

单元区域，多个层间介电层和多个电极层交替层叠并设置在所述单元区域中；以及

外围区域，该外围区域位于所述单元区域外部，并且

其中，所述第一测试图案设置在所述外围区域中。