[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202010811465.0 | 申请日: | 2020-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN112397554A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
| 发明(设计)人: | 金明镐;金宰范;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括:基底;第一半导体图案,设置在基底上;第一栅极绝缘膜,设置在第一半导体图案上;第一导电层,设置在第一栅极绝缘膜上且包括第一栅电极和电容器的连接到第一栅电极的第一电极;第一层间绝缘膜,设置在第一导电层上;第二半导体图案,设置在第一层间绝缘膜上;第二栅极绝缘膜,设置在第二半导体图案上;第二栅电极,设置在第二栅极绝缘膜上;第二层间绝缘膜,设置在第二栅电极上;以及第二导电层,设置在第二层间绝缘膜上且包括第一源/漏电极、第二源/漏电极以及电容器的第二电极,其中,电容器的第二电极设置在其中第二层间绝缘膜被至少部分地去除的沟槽结构中。
本申请要求于2019年8月16日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0100276号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置变得越来越重要。响应于多媒体的发展,正在开发诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和其他类型的显示器的各种类型的显示装置。在显示装置之中,OLED显示器使用通过使电子和空穴复合产生光的OLED来显示图像。OLED显示器可以包括可以将驱动电流提供到OLED的晶体管。
应当理解的是,技术部分的该背景部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而,技术部分的该背景也可以包括在这里公开的主题的相应有效提交日期之前不是相关领域技术人员已知或理解的部分的理念、构思或认识。
发明内容
公开的多个方面提供了一种其中可以减少制造工艺中使用的掩模的数量的显示装置。
公开的多个方面也提供了一种制造其中可以减少制造工艺中使用的掩模的数量的显示装置的方法。
然而,公开的范围不限于上述目的,本领域技术人员可以通过以下描述而清楚地理解其他方面和目的。
显示装置的实施例可以包括晶体管和电容器,显示装置可以包括:基底;第一半导体层,设置在基底上且包括第一晶体管的半导体图案;第一栅极绝缘膜,设置在第一半导体层上;第一导电层,设置在第一栅极绝缘膜上且包括第一晶体管的栅电极以及电容器的连接到第一晶体管的栅电极的第一电极;第一层间绝缘膜,设置在第一导电层上;第二半导体层,设置在第一层间绝缘膜上且包括第二晶体管的半导体图案;第二栅极绝缘膜,设置在第二半导体层上;第二导电层,设置在第二栅极绝缘膜上且包括第二晶体管的栅电极;第二层间绝缘膜,设置在第二导电层上;以及第三导电层,设置在第二层间绝缘膜上且包括第一晶体管的第一源/漏电极、第一晶体管的第二源/漏电极、第二晶体管的第一源/漏电极、第二晶体管的第二源/漏电极以及电容器的第二电极,其中,电容器的第二电极设置在其中第二层间绝缘膜被至少部分地去除的沟槽结构中。
在实施例中,第一晶体管和第二晶体管可以分别包括可以由不同的半导体层形成的沟道。
在实施例中,在电容器的第一电极和第二电极之间可以设置有第一层间绝缘膜而没有第二层间绝缘膜。
在实施例中,第一层间绝缘膜的在电容器的第一电极和第二电极之间的厚度可以小于第一层间绝缘膜的在其中第一层间绝缘膜不与第三导电层叠置的区域中的厚度。
在实施例中,第二层间绝缘膜的在电容器的第一电极和第二电极之间的厚度可以小于第二层间绝缘膜的在其中第二层间绝缘膜不与第三导电层叠置的区域中的厚度。
在实施例中,沟槽结构的侧壁可以由第二层间绝缘膜形成;并且沟槽结构的底表面可以由第一层间绝缘膜的部分形成。
在实施例中,沟槽结构的侧壁和底表面可以由第二层间绝缘膜形成。
在实施例中,第一导电层还可以包括可以与第二晶体管的半导体图案叠置的遮光图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





