[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底；

第一半导体图案，设置在所述基底上；

第一栅极绝缘膜，设置在所述第一半导体图案上；

第一导电层，设置在所述第一栅极绝缘膜上，并且包括：第一栅电极；以及电容器的第一电极，连接到所述第一栅电极；

第一层间绝缘膜，设置在所述第一导电层上；

第二半导体图案，设置在所述第一层间绝缘膜上；

第二栅极绝缘膜，设置在所述第二半导体图案上；

第二栅电极，设置在所述第二栅极绝缘膜上；

第二层间绝缘膜，设置在所述第二栅电极上；以及

第二导电层，设置在所述第二层间绝缘膜上，并且包括：第一源/漏电极；第二源/漏电极；以及所述电容器的第二电极，

其中，所述电容器的所述第二电极设置在其中所述第二层间绝缘膜被至少部分地去除的沟槽结构中。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述电容器的所述第一电极和所述第二电极之间设置有所述第一层间绝缘膜而没有所述第二层间绝缘膜。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一层间绝缘膜的在所述电容器的所述第一电极和所述第二电极之间的厚度小于所述第一层间绝缘膜的在其中所述第一层间绝缘膜不与所述第二导电层叠置的区域中的厚度。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二层间绝缘膜的在所述电容器的所述第一电极和所述第二电极之间的厚度小于所述第二层间绝缘膜的在其中所述第二层间绝缘膜不与所述第二导电层叠置的区域中的厚度。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述沟槽结构的侧壁由所述第二层间绝缘膜形成；并且

所述沟槽结构的底表面由所述第一层间绝缘膜的部分形成。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟槽结构的侧壁和底表面由所述第二层间绝缘膜形成。

7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括遮光图案，所述遮光图案与所述第一栅电极共面且与所述第二半导体图案叠置。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述遮光图案连接到所述第二栅电极或者连接到所述第一源/漏电极和所述第二源/漏电极中的一者。

9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括第三半导体图案，

其中，所述沟槽结构的底表面由所述第三半导体图案形成，并且

所述第三半导体图案与所述电容器的所述第二电极接触，并且设置在所述电容器的所述第二电极与所述第一层间绝缘膜之间。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

所述第二半导体图案包括：沟道区，与所述第二栅电极叠置；以及源区/漏区，设置在所述第二栅电极的外侧上，并且

所述源区/漏区和所述第三半导体图案具有比所述沟道区的电导率大的电导率。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三半导体图案具有与所述源区/漏区相同的电导率。

12.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一晶体管，包括非氧化物半导体；

第二晶体管，包括与所述非氧化物半导体设置在不同的层上的氧化物半导体；

电容器；

第一导电层，包括所述电容器的第一电极和所述第一晶体管的栅电极；

第二导电层，包括所述第二晶体管的栅电极；以及

第三导电层，包括所述第一晶体管的源/漏电极、所述第二晶体管的源/漏电极以及所述电容器的第二电极；

其中，所述电容器的所述第二电极设置在由绝缘层形成的沟槽结构中。