[发明专利]一种多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机在审
| 申请号: | 202010803204.4 | 申请日: | 2020-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN111785677A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
| 发明(设计)人: | 邓泽龙;冯小平;许新星 | 申请(专利权)人: | 苏州圭石科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 李萍 |
| 地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 联动 高效率 多工位晶圆 贴合 | ||
本发明公开了一种多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机,包括底座,所述底座的内腔固定连接有微型压缸,所述微型压缸的内腔固定连接有升降杆A,所述升降杆A的顶部固定连接有支撑杆,所述支撑杆的顶部固定连接有晶圆盘,所述晶圆盘内腔的底部固定连接有加热盘,所述晶圆盘的内壁固定连接有调节卡,所述调节卡外壁的中部固定连接有螺纹杆,所述横轴的外圈套装有压缸,所述升降杆B的底部固定连接有上压盖,所述底座顶部对应子母栓的位置开设有卡节槽,可以根据晶圆片的半径来调整螺纹杆,从而达到固定晶圆片的效果,通过触摸屏可以控制感应器来调节晶圆盘的高度,通过调整晶圆盘的高度可以调整晶粒之间的间距,从而可以提高贴合的精准度。
技术领域
本发明涉及贴合机技术领域,具体为一种多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆,晶圆的原始材料是硅,晶圆是硅元素加以纯化,接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版、研磨、抛光、切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆,在晶圆贴合时,首先需要扩膜机张开晶圆盘,使每个芯片之间间隔增大,通过视觉引导,将IBGT芯片装到基板上,现有的扩膜机无法根据晶圆大小来调节,导致晶圆在晶圆盘上会出现左右移动的现象,而且现有扩膜机的晶圆盘无法调节上下调整,导致调整晶粒之间的间距,进而会导致贴合不精准。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机,解决了扩膜机无法根据晶圆大小来调节、扩膜机的晶圆盘无法调节上下调整的问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机,包括底座,所述底座的内腔固定连接有微型压缸,所述微型压缸的内腔固定连接有升降杆A,所述升降杆A的顶部固定连接有支撑杆,所述支撑杆的顶部固定连接有晶圆盘,所述晶圆盘内腔的底部固定连接有加热盘,所述晶圆盘的内壁固定连接有调节卡,所述调节卡外壁的中部固定连接有螺纹杆,所述晶圆盘的外圈固定连接有子母卡,所述底座顶部的背部固定连接有支架,所述支架相对一面的顶部固定连接有横轴,所述横轴的外圈套装有压缸,所述压缸的内腔固定连接有升降杆B,所述升降杆B的底部固定连接有上压盖,所述上压盖的内腔固定连接有上压盘,所述上压盖的外圈固定连接有子母栓,所述底座顶部对应子母栓的位置开设有卡节槽。
优选的,所述底座顶部斜面位置的左侧固定连接有触摸屏,所述触摸屏的右侧固定连接有加热控制器,所述加热控制器的右方固定连接有压缸控制器,所述压缸控制器的右方固定连接有总控制器。
优选的,所述微型压缸的内腔固定连接有感应器,通过触摸屏可以控制感应器来调节晶圆盘的高度。
优选的,所述加热盘与加热控制器线路连接。
优选的,所述上压盘的半径等于加热盘的半径减去调节卡的厚度。
优选的,所述子母卡、子母栓、卡节槽的位置是相对应的。
(三)有益效果
本发明提供了一种多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机。具备以下有益效果:
(1)、该多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机,晶圆盘的内壁固定连接有调节卡,调节卡外壁的中部固定连接有螺纹杆,将晶圆片放置在晶圆盘上,然后可以根据晶圆片的半径来调整螺纹杆,从而达到固定晶圆片的效果。
(2)、该多轴联动型高效率多工位晶圆贴合机,微型压缸的内腔固定连接有感应器,通过触摸屏可以控制感应器来调节晶圆盘的高度,通过调整晶圆盘的高度可以调整晶粒之间的间距,从而可以提高贴合的精准度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





