[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

半导体部；

所述半导体部的背面上的第一电极；

所述半导体部的表面上的第二电极；

第三电极，设置于所述半导体部和所述第二电极之间，位于所述半导体部的沟槽的内部；

第四电极，设置于所述沟槽的内部，位于所述第三电极和所述第一电极之间；

第一绝缘部，将所述第三电极从所述半导体部电气绝缘；

第二绝缘部，将所述第三电极从所述第二电极电气绝缘；

第三绝缘部，将所述第四电极从所述半导体部电气绝缘；

第四绝缘部，将所述第四电极从所述第三电极电气绝缘；以及

第五绝缘部，包括位于所述第四电极内的第一部分和在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向上从所述第四电极延出的第二部分，

所述半导体部包括第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层和所述第一导电型的第三半导体层，

所述第一半导体层在所述第一电极和所述第二电极之间延伸，

所述第二半导体层设置于所述第一半导体层和所述第二电极之间，隔着所述第一绝缘部与所述第三电极相对，

所述第三半导体层有选择地设置于所述第二半导体层和所述第二电极之间，并与所述第一绝缘部接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第三电极包括沿与所述第一方向相交的第二方向排列的第一控制部及第二控制部，

所述第五绝缘部的第二部分的前端位于所述第一控制部和所述第二控制部之间。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第五绝缘部的所述第一部分具有比所述第二部分的所述第二方向上的宽度窄的所述第二方向上的宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第五绝缘部的所述第二部分的前端和所述第三电极的间隔，比所述第三绝缘部和所述第五绝缘部的所述第一部分之间的所述第四电极的所述第二方向上的厚度大。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第三电极的所述第一控制部及所述第二控制部各自的所述第二方向上的宽度，比所述第三绝缘部的所述第二方向上的宽度窄。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第三电极还包括位于所述第一控制部和所述第二控制部之间的中间部，

所述第五绝缘部的第二部分位于所述第一部分和所述中间部之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

将所述第三电极的所述中间部设置成与所述第五绝缘部的第二部分接触。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第二绝缘部设置于所述第二电极和所述第三电极的所述第一控制部之间、所述第二电极和所述第三电极的所述第二控制部之间、以及所述第二电极和所述第四绝缘部之间。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述第四绝缘部包括位于所述第二绝缘部和所述第五绝缘部的第二部分之间的部分。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述第五绝缘部的所述第二部分随着接近所述第二绝缘部，其所述第二方向上的宽度变窄。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

所述第五绝缘部的所述第二部分在所述第三电极的所述第一控制部和所述第二控制部之间延伸，并与所述第二绝缘部相连。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

所述第三绝缘部包含氧化硅，所述第五绝缘部包含氮化硅。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第三绝缘部包含氧化硅，所述第五绝缘部是包含硼及磷的硅酸盐玻璃。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第五绝缘部的第一部分包含孔隙。