[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其版图结构

说明书

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及其版图结构，包括：衬底；位于衬底上的鳍式结构；位于衬底上且分别覆盖部分鳍式结构的栅极、源极和漏极，源极与鳍式结构上的源极区电连接，漏极与鳍式结构上的漏极区电连接；位于源极上且与源极电连接的第一引出线、位于第一引出线上且与第一引出线电连接的第二引出线，第一引出线的边界和与其相邻的第二引出线的边界之间的距离大于预设距离；位于漏极上且与漏极电连接的第三引出线、位于第三引出线上且与第三引出线电连接的第四引出线，第三引出线的边界和与其相邻的第四引出线的边界之间的距离大于预设距离，从而可以降低引出线的选取难度，提高鳍式场效应晶体管的版图设计效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种鳍式场效应晶体管及其版图结构。

背景技术

传统的金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)的源极和漏极，都是通过外部引出线与外部电路电连接。但是，对于新型的鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，FINFET)而言，由于其源极和漏极具有与其连接的三维结构，该三维结构包括本地互连层和接触孔，因此，除了通过外部引出线可以对外连线外，也可以通过本地互连层的内部引出线对外连线。

但是，若按照最小设计规则设计可参数化单元，如图1所示，外部引出线10和内部引出线11的边界距离D会非常接近版图最小长度单位1奈米，即便版图工程师将倍率放大到最大，但是，由于内部引出线11可选取的区域非常小，因此，依然很难点选到内部引出线11，导致版图工程师必须花费更多时间在选定层上。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及其版图结构，以降低内部引出线的选取难度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种鳍式场效应晶体管的版图结构，包括：

衬底；

位于所述衬底上的鳍式结构；

位于所述衬底上且分别覆盖部分所述鳍式结构的栅极、源极和漏极，所述栅极与所述鳍式结构之间具有栅电介层，所述源极与所述鳍式结构上的源极区电连接，所述漏极与所述鳍式结构上的漏极区电连接；

位于所述源极上且与所述源极电连接的第一引出线、位于所述第一引出线上且与所述第一引出线电连接的第二引出线，所述第一引出线的边界和与其相邻的所述第二引出线的边界之间的距离大于预设距离；

位于所述漏极上且与所述漏极电连接的第三引出线、位于所述第三引出线上且与所述第三引出线电连接的第四引出线，所述第三引出线的边界和与其相邻的所述第四引出线的边界之间的距离大于预设距离。

可选地，所述第一引出线、所述第二引出线、所述第三引出线和所述第四引出线的形状为方形。

可选地，所述第一引出线包括第一短边和第一长边，所述第二引出线包括第二短边和第二长边，所述第一短边与所述第二短边相邻设置，所述第一短边与所述第二短边之间的距离大于预设距离；

所述第三引出线包括第三短边和第三长边，所述第四引出线包括第四短边和第四长边，所述第三短边与所述第四短边相邻设置，所述第三短边与所述第四短边之间的距离大于预设距离。

可选地，所述第一短边和所述第三短边位于所述鳍式结构的同一侧。

可选地，所述第一短边和所述第三短边分别位于所述鳍式结构的两侧。

可选地，所述预设距离大于1奈米。

一种鳍式场效应晶体管，应用如上任一项所述的版图结构。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：