[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其版图结构

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的版图结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的鳍式结构；

位于所述衬底上且分别覆盖部分所述鳍式结构的栅极、源极和漏极，所述栅极与所述鳍式结构之间具有栅电介层，所述源极与所述鳍式结构上的源极区电连接，所述漏极与所述鳍式结构上的漏极区电连接；

位于所述源极上且与所述源极电连接的第一引出线、位于所述第一引出线上且与所述第一引出线电连接的第二引出线，所述第一引出线的边界和与其相邻的所述第二引出线的边界之间的距离大于预设距离；

位于所述漏极上且与所述漏极电连接的第三引出线、位于所述第三引出线上且与所述第三引出线电连接的第四引出线，所述第三引出线的边界和与其相邻的所述第四引出线的边界之间的距离大于预设距离。

2.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述第一引出线、所述第二引出线、所述第三引出线和所述第四引出线的形状为方形。

3.根据权利要求2所述的版图结构，其特征在于，所述第一引出线包括第一短边和第一长边，所述第二引出线包括第二短边和第二长边，所述第一短边与所述第二短边相邻设置，所述第一短边与所述第二短边之间的距离大于预设距离；

所述第三引出线包括第三短边和第三长边，所述第四引出线包括第四短边和第四长边，所述第三短边与所述第四短边相邻设置，所述第三短边与所述第四短边之间的距离大于预设距离。

4.根据权利要求3所述的版图结构，其特征在于，所述第一短边和所述第三短边位于所述鳍式结构的同一侧。

5.根据权利要求3所述的版图结构，其特征在于，所述第一短边和所述第三短边分别位于所述鳍式结构的两侧。

6.根据权利要求1所述的版图结构，其特征在于，所述预设距离大于1奈米。

7.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，应用权利要求1～6任一项所述的版图结构。