[发明专利]一种TFT基板及其制造方法、显示面板

说明书

本申请公开了一种TFT基板及其制造方法，显示面板，所述TFT基板包括：衬底基板；有源层，设置于衬底基板上方；有源层包括沟道区、源极区和漏极区；沟道区的材料为氧化物半导体，源极区和漏极区的材料为导体化氧化物半导体；栅极绝缘层和栅极，依次设置于沟道区上方；氧化钛层，覆盖源极区及漏极区；源极和漏极，设置于氧化钛层上方，氧化钛层上设置有第一过孔，源极和漏极通过第一过孔分别和源极区与漏极区接触。通过在TFT基板中增加一金属钛层，钛层在有源层相应部位导体化处理过程中夺取有源层中的O原子，在实现导体化的同时钛层被氧化，被氧化的钛层可有效阻挡其上方膜层H原子和O原子的含量变化对薄膜晶体管电性的影响。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板及其制造方法、显示面板。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置和有源矩阵型OLED显示装置中的主要驱动元件，对高性能平板显示器的发展方向至关重要。薄膜晶体管具有多种结构，包括底栅型和顶栅型。顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管相比，不存在背沟道刻蚀损伤问题，且栅极绝缘层位于有源层之上，起到了保护作用。顶栅型薄膜晶体管可以通过整面曝光和干刻法实现自对准，不存在交叠区域，工艺简单且有兼容性。目前顶栅型薄膜晶体管的自对准结构实现的方法是：有源层包括源极区、漏极区和沟道区，在所述源极区和所述漏极区自对准后，对源极区和漏极区进行导体化处理，以降低电阻率，作为源极和漏极。目前对源极区和漏极区的导体化处理方法多采用He或Ar等离子体轰击，导致金属与氧之间的键断裂，O原子逸出，增加了半导体氧化物的氧空位，提高了源极区和漏极区的电导率。但是有源层，特别是IGZO层对周围环境非常敏感，特别是H原子和O原子，H原子和O原子会对薄膜晶体管器件的电性产生影响，会使有源层从半导体变成导体，影响薄膜晶体管器件的特性与可靠性。

发明内容

为了解决上述问题，本申请的目的在于提供一种能够防止H原子和O原子会对薄膜晶体管器件的电性产生影响，提高影响薄膜晶体管器件的特性与可靠性的TFT基板及其制造方法、显示面板。

本申请提供一种TFT基板，包括：

衬底基板；

有源层，设置于所述衬底基板上方；所述有源层包括沟道区、源极区和漏极区；所述沟道区的材料为氧化物半导体，所述源极区和所述漏极区的材料为导体化氧化物半导体；

栅极绝缘层和栅极，依次设置于所述沟道区上；

氧化钛层，覆盖所述源极区和所述漏极区；

源极和漏极，设置于所述氧化钛层上方，所述氧化钛层上设置有第一过孔，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔分别和所述源极区与所述漏极区接触。

进一步的，在一些实施方式中，所述氧化钛层还覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极。

进一步的，在一些实施方式中，所述氧化钛层覆盖所述衬底基板的整面。

进一步的，在一些实施方式中，所述TFT基板还包括：

层间介质层，设置于所述氧化钛层和所述源极与所述漏极之间，所述第一过孔贯穿所述层间介质层和所述氧化钛层。

本申请还提供一种TFT基板的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上方形成氧化物半导体层，图案化所述氧化物半导体层，在所述图案化的氧化物半导体层上定义沟道区，在所述沟道区上依次形成栅极绝缘层和栅极；

在衬底基板上形成钛层，所述钛层覆盖所述氧化物半导体层上所述沟道区的两侧区域；