[发明专利]一种TFT基板及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种TFT基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

有源层，设置于所述衬底基板上方；所述有源层包括沟道区、源极区和漏极区；所述沟道区的材料为氧化物半导体，所述源极区和所述漏极区的材料为导体化氧化物半导体；

栅极绝缘层和栅极，依次设置于所述沟道区上；

氧化钛层，覆盖所述源极区和所述漏极区；

源极和漏极，设置于所述氧化钛层上方，所述氧化钛层上设置有第一过孔，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔分别和所述源极区与所述漏极区接触。

2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述氧化钛层还覆盖所述栅极绝缘层和所述栅极。

3.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述氧化钛层覆盖所述衬底基板的整面。

4.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板还包括：

层间介质层，设置于所述氧化钛层和所述源极与所述漏极之间，所述第一过孔贯穿所述层间介质层和所述氧化钛层。

5.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上方形成氧化物半导体层，图案化所述氧化物半导体层，在所述图案化的氧化物半导体层上定义沟道区，在所述沟道区上依次形成栅极绝缘层和栅极；

在衬底基板上形成钛层，所述钛层覆盖所述氧化物半导体层上所述沟道区的两侧区域；

对所述氧化物半导体层上所述沟道区的两侧区域进行导体化处理，所述沟道区的两侧区域被导体化后形成源极区和漏极区，所述氧化物半导体层形成有源层；所述钛层被氧化形成氧化钛层；

在所述源极区和所述漏极区上方的所述氧化钛层上开设第一过孔，在所述氧化钛层上方形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔与所述源极区和所述漏极区接触。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成钛层，所述钛层覆盖所述氧化物半导体层上所述沟道区的两侧区域的步骤还包括以下步骤：对所述钛层进行图案化处理，去除除所述氧化物半导体层上所述沟道区的两侧区域、所述栅极绝缘层和所述栅极上方之外的钛层。

7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述钛层覆盖所述衬底基板的整面。

8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述钛层的厚度为

9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述氧化钛层上方形成源极和漏极之前还包括以下步骤：

在所述氧化钛层上形成层间介质层；

在所述源极区和所述漏极区上方的所述氧化钛层和层间介质层上设置第一过孔，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔分别和所述源极区与所述漏极区接触。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至4任一项所述的TFT基板。