[发明专利]基板处理系统

说明书

本发明提供一种基板处理系统。具有对基板实施规定处理的多个处理装置的基板处理系统，拍摄用处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像，从该第一基板图像抽取规定的特征量，从存储有与各自不同的范围的特征量对应地设定的多个检查方案的存储部，选择与从第一基板图像抽取的特征量对应的检查方案，拍摄用处理装置处理后的基板的表面来取得第二基板图像，基于检查方案和第二基板图像，判断基板有无缺陷。根据本发明，能够进行最佳的检查，并能够抑制精度的偏差。

技术领域

本申请基于2015年5月12日在日本申请的特愿2015-097333号，要求优先权，在此引用其内容。

本发明涉及检查基板的方法、基板处理系统和存储实行所述基板的检查方法的程序的可读取的计算机存储介质。

背景技术

例如半导体器件的制造步骤的光刻步骤中，依次进行向作为基板的半导体晶片(以下，称为“晶片”)上涂敷抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、将抗蚀剂膜以规定图案曝光的曝光处理、对曝光过的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等一系列的处理，并在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。上述一系列的处理，在装载处理晶片的各种处理装置或搬送晶片的搬送机构等的作为基板处理系统的涂敷显影处理系统中进行。

在上述的涂敷显影处理系统设置有对晶片进行所谓巨大缺陷的检查的检查装置(专利文献1)。在巨大缺陷检查中，在涂敷显影处理系统进行了规定的处理的晶片，在规定的照明下利用例如CCD线阵传感器等的拍摄装置进行拍摄，取得该晶片的拍摄图像。然后，与以取得的拍摄图像为基准的晶片的图像比较，据此判断是否有缺陷。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-104593号公报。

发明内容

发明想要解决的技术问题

由此，在上述的巨大缺陷的检查中，设定作为基准的晶片的画像、照明的照度或拍摄速度等的检查方案。但是，为了在光刻步骤中在晶片表面形成各种膜，晶片表面的反射率等的表面状态，在每个步骤中都不同。因此，根据晶片的表面状态，产生巨大缺陷检查的精度的偏差的问题。

鉴于上述问题，本发明的目的在于在基板处理系统中适当进行基板的检查。

用于解决技术问题的技术方案

为达到上述目的，本发明为一种基板的检查方法，其用于具有对基板实施规定处理的多个处理装置的基板处理系统，上述基板的检查方法的特征在于：拍摄用上述处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像，从上述第一基板图像抽取规定的特征量，从存储有与各自不同的范围的上述特征量对应地设定的多个检查方案的存储部，选择与从上述第一基板图像抽取出的上述特征量对应的检查方案，拍摄用上述处理装置处理后的基板的表面来取得第二基板图像，基于上述检查方案和上述第二基板图像，判断基板有无缺陷。

根据本发明，首先拍摄用处理站处理前的基板的表面来取得第一基板图像，基于该第一基板图像的特征量选择检查方案，因此基于最适宜的检查方案，能够适当地判断第二基板图像中有无缺陷。因此，与基板的表面状态无关，总是能够进行最佳的检查，并能够抑制巨大缺陷的精度的偏差。

本发明的另一方面为一种基板处理系统，其具有对基板实施规定处理的多个处理装置，上述基板处理系统的特征在于，包括：检查装置，其包括：第一拍摄装置，其拍摄用上述处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像；特征量抽取部，其从上述第一基板图像抽取规定的特征量；存储部，其存储有与各自不同的范围的上述特征量对应地设定的多个检查方案；方案选择部，其从存储于上述存储部的上述检查方案，选择与由上述特征量抽取部抽取出的特征量对应的检查方案；和第二拍摄装置，其拍摄用上述处理装置处理后的基板的表面来取得第二基板图像；和缺陷判断部，其基于上述选择的检查方案，判断上述第二基板图像中有无缺陷。