[发明专利]一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构的制造方法，包括如下步骤：

(A)制作具有贯通空腔的框架，其中所述框架包括聚合物电介质和嵌入在所述聚合物电介质中包围所述贯通空腔的屏蔽铜柱；

(B)在所述贯通空腔中置入器件并填充封装材料形成第一绝缘层；

(C)在所述第一绝缘层的第一表面上施加聚合物电介质形成第二绝缘层；

(D)在所述第二绝缘层上开孔暴露出所述屏蔽铜柱的第一端面和所述器件的端子，同时保留预定的信号线引出开口位置的聚合物电介质；

(E)在所述第二绝缘层上形成连接所述器件的端子的信号线，在所述信号线的两侧形成屏蔽线，并且所述屏蔽线与所述信号线一起穿过所述信号线引出开口位置；

(F)将所述屏蔽铜柱从第一端面增层使其延伸超出第二绝缘层；

(G)在所述屏蔽铜柱上施加聚合物电介质形成第三绝缘层；

(H)减薄第一绝缘层和第三绝缘层暴露出所述屏蔽铜柱的第一端面和第二端面；

(I)在所述第三绝缘层和第一绝缘层上形成第一线路层和第二线路层，其中第一线路层和第二线路层覆盖在所述屏蔽铜柱的第一端面和第二端面上并与所述屏蔽铜柱电连接。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤A还包括：

-在临时承载板上施加光刻胶层，经曝光显影形成第一图案；

-在所述第一图案中镀覆金属铜，形成屏蔽铜柱和牺牲铜柱；

-移除所述光刻胶层；

-施加聚合物电介质层以覆盖所述屏蔽铜柱和牺牲铜柱；

-减薄所述聚合物电介质层以暴露出所述屏蔽铜柱和牺牲铜柱的顶端面；

-移除所述临时承载板；

-蚀刻所述牺牲铜柱形成贯通空腔，其中所述屏蔽铜柱包围所述贯通空腔，由此得到具有贯通空腔的框架。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤A还包括：

-在临时承载板上施加光刻胶层，经曝光显影形成第一图案；

-在所述第一图案中镀覆金属铜，形成屏蔽铜柱；

-移除所述光刻胶层；

-施加聚合物电介质层覆盖所述屏蔽铜柱；

-减薄所述聚合物电介质层以暴露出所述屏蔽铜柱的顶端面；

-移除所述临时承载板；

-对所述聚合物电介质层进行机械冲压或激光钻孔的方式形成被所述屏蔽铜柱包围的贯通空腔，由此得到具有贯通空腔的框架。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤B包括：

-在所述框架的一面上施加胶带；

-在所述贯通空腔中置入器件并使所述器件贴装在所述胶带上；

-在所述框架的另一面上施加封装材料形成第一绝缘层，其中所述封装材料填充所述器件与框架之间的间隙；

-移除所述胶带。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述聚合物电介质选自半固化片、双马来酰亚胺/三嗪树脂、聚酰亚胺、聚氯乙烯、膜状有机树脂、环氧树脂或聚苯醚中的一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤F还包括：

-在所述第二绝缘层上施加光刻胶层，

-对所述光刻胶层曝光显影形成开孔，暴露出所述屏蔽铜柱的第一端面；

-对所述开孔镀铜，形成增层屏蔽铜柱；

-移除所述光刻胶。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤H还包括：

-通过机械研磨或等离子体蚀刻的方式进行减薄。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤I还包括：

-在暴露出所述屏蔽铜柱的第一端面和第二端面的第三绝缘层和第一绝缘层上施加种子层；

-在种子层上施加光刻胶层；

-图案化形成线路图案；

-在线路图案中镀铜；

-剥除光刻胶；

-移除种子层。