[发明专利]EDMOS器件及其制造方法

说明书

本申请公开了一种EDMOS器件及其制造方法，涉及半导体制造领域。该EDMOS器件至少包括衬底；位于在衬底内的漂移区；位于衬底内的两个体区，两个体区关于漂移区对称；位于衬底表面的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第四栅极结构；漂移区内设置有漏区，漏区位于第三栅极结构和第四栅极结构之间；第一栅极结构、第二栅极结构关于漏区对称，第三栅极结构和第四栅极结构被漂移区包围；第一体区和第二体区内分别设置有源区；解决了目前对称的EDMOS器件在制造过程中无法保证两个对称的EDMOS器件的性能完全一致的问题；达到了控制对称的EDMOS器件的性能保持一致，提升器件性能的效果。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体涉及一种EDMOS器件及其制造方法。

背景技术

EDMOS(Extended Drain Metal Oxide Semiconductor，延长漏极金属氧化物半导体)具有较高的击穿电压和较低的导通电阻等特性，被广泛应用在电源管理等高压应用中。

在实际应用中，EDMOS器件大多是成对出现的，在生产制造过程中，成对的EDMOS器件同时制造在一块衬底上，然而由于制造工艺的波动，会造成两个成对的EDMOS的性能不完全一致，导致整个器件的性能下降。

发明内容

为了解决相关技术文中的问题，本申请提供了一种EDMOS器件及其制造方法。该技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种EDMOS器件，至少包括：

衬底；

位于在衬底内的漂移区；

位于衬底内的两个体区，两个体区关于漂移区对称；

位于衬底表面的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第四栅极结构；

漂移区内设置有漏区，漏区位于第三栅极结构和第四栅极结构之间；

第一栅极结构、第二栅极结构关于漏区对称，第三栅极结构和第四栅极结构被漂移区包围；

漂移区的第一端靠近第一体区，漂移区的第二端靠近第二体区，第一栅极结构横跨第一体区的一部分和漂移区的第一端，第二栅极结构横跨第二体区和漂移区的第二端；

第一体区和第二体区内分别设置有源区。

可选的，第一栅极结构与第三栅极结构之间的衬底表面设置有金属硅化物阻挡层，第二栅极结构和第四栅极结构之间的衬底表面形成有金属硅化物阻挡层；

源区、漏区、第一栅极结构的顶部、第二栅极结构的顶部均形成有金属硅化物。

可选的，金属硅化物阻挡层延伸至第一栅极结构的上方、第三栅极结构的上方、第二栅极结构的上方、第四栅极结构的上方。

可选的，栅极结构由栅氧化层、多晶硅栅和栅极侧墙构成。

第二方面，本申请实施例提供了一种EDMOS器件的制造方法，该方法包括：

在衬底中形成漂移区和两个体区，两个体区关于漂移区对称；

在衬底表面形成四个栅极结构；第一栅极结构横跨漂移区的一端和第一体区的一部分，第二栅极结构横跨漂移区的另一端和第二体区的一部分，第三栅极结构和第四栅极结构被漂移区包围，第一栅极结构与第三栅极结构之间的距离等于第二栅极结构与第四栅极结构之间的距离，第三栅极结构与第四栅极结构相同，第一栅极结构与第二栅极结构相同；

在两个体区形成源区，在漂移区形成漏区，且漏区位于第三栅极结构和第四栅极结构之间。

可选的，该方法还包括：