[发明专利]EDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种EDMOS器件，其特征在于，至少包括：

衬底；

位于在所述衬底内的漂移区；

位于所述衬底内的两个体区，两个体区关于所述漂移区对称；

位于衬底表面的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第四栅极结构；

所述漂移区内设置有漏区，所述漏区位于所述第三栅极结构和所述第四栅极结构之间；

所述第一栅极结构、所述第二栅极结构关于所述漏区对称，所述第三栅极结构和所述第四栅极结构被所述漂移区包围；

所述漂移区的第一端靠近第一体区，所述漂移区的第二端靠近第二体区，所述第一栅极结构横跨所述第一体区的一部分和所述漂移区的第一端，所述第二栅极结构横跨所述第二体区和所述漂移区的第二端；

所述第一体区和所述第二体区内分别设置有源区。

2.根据权利要求1所述的EDMOS器件，其特征在于，所述第一栅极结构与所述第三栅极结构之间的衬底表面设置有金属硅化物阻挡层，所述第二栅极结构和所述第四栅极结构之间的衬底表面形成有金属硅化物阻挡层；

所述源区、所述漏区、所述第一栅极结构的顶部、所述第二栅极结构的顶部均形成有金属硅化物。

3.根据权利要求2所述的EDMOS器件，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层延伸至所述第一栅极结构的上方、所述第三栅极结构的上方、所述第二栅极结构的上方、所述第四栅极结构的上方。

4.根据权要求1所述的EDMOS器件，其特征在于，栅极结构由栅氧化层、多晶硅栅和栅极侧墙构成。

5.一种EDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底中形成漂移区和两个体区，所述两个体区关于所述漂移区对称；

在所述衬底表面形成四个栅极结构；第一栅极结构横跨所述漂移区的一端和第一体区的一部分，第二栅极结构横跨所述漂移区的另一端和第二体区的一部分，第三栅极结构和第四栅极结构被所述漂移区包围，所述第一栅极结构与所述第三栅极结构之间的距离等于第二栅极结构与所述第四栅极结构之间的距离，所述第三栅极结构与所述第四栅极结构相同，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构相同；

在所述两个体区形成源区，在所述漂移区形成漏区，且所述漏区位于所述第三栅极结构和所述第四栅极结构之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一栅极结构和所述第三栅极结构之间的衬底表面形成金属硅化物阻挡层，在所述第二栅极结构和所述第四栅极结构之间的衬底表面形成金属硅化物阻挡层；

在所述第一栅极结构的顶部、所述第二栅极结构的顶部、所述源区的顶部、所述漏区的顶部形成金属硅化物。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成四个栅极结构，包括：

在衬底表面形成栅氧化层；

在所述栅氧化层的上方形成多晶硅层；

通过光刻工艺定义四个栅极图案；第一栅极图案与第二栅极图案相同，第三栅极图案与第四栅极图案相同，所述第一栅极图案横跨第一体区的一部分和漂移区的一端，所述第二栅极图案横跨第二体区的一部分和漂移区的另一端，所述第三栅极图案和所述第四栅极图案被所述漂移区包围，所述第一栅极图案与所述第三栅极图案之间的距离等于所述第二栅极图案与所述第四栅极图案之间的距离；

根据所述四个栅极图案刻蚀所述多晶硅层，形成第一多晶硅栅、第二多晶硅栅、第三多晶硅栅、第四多晶硅栅；

在多晶硅栅的两侧形成栅极侧墙。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在漂移区形成漏区，包括：

通过离子注入工艺，以第三栅极结构和第四栅极结构作为漏区自对准阻挡层，在所述第三栅极结构和所述第四栅极结构之间的漂移区内形成所述漏区。