[发明专利]带导热结构的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备

说明书

本发明涉及一种体声波谐振器及其制造方法，该谐振器包括基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：所述底电极的至少一部分的外端处于所述声学镜的边界的外侧；在所述声学镜的边界的外侧，所述基底中沿所述声学镜设置有导热结构，所述导热结构适于与所述底电极的对应部分的下表面热接触。本发明还涉及一种滤波器和一种电子设备。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种电子设备。

背景技术

随着5G通信技术的日益发展，对通信频段的要求越来越高。传统的射频滤波器受结构和性能的限制，不能满足高频通信的要求。薄膜体声波谐振器(FBAR) 作为一种新型的MEMS器件，具有体积小、质量轻、插入损耗低、频带宽以及品质因子高等优点，很好地适应了无线通信系统的更新换代，使FBAR技术成为通信领域的研究热点之一。

随着无线通信速率的不断提高，要求射频器件的工作频率也相应提高。要制造更高频率的FBAR滤波器，FBAR的谐振频率也要相应提高。现有的FBAR结构，当谐振频率较高时，电极较薄，因此电极导电性变差，影响谐振器在串联谐振点的阻抗值，最终导致串联谐振点Qs及其附近的Q值恶化。

此外，对于FBAR的功率容量也有越来越高的要求，而谐振器的功率容量的高低与谐振器的散热性能直接相关，因此，也存在提高谐振器的散热性能的需求。

发明内容

为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

顶电极；和

压电层，设置在底电极与顶电极之间，

其中：

所述底电极的至少一部分的外端处于所述声学镜的边界的外侧；

在所述声学镜的边界的外侧，所述基底中沿所述声学镜设置有导热结构，所述导热结构适于与所述底电极的对应部分的下表面热接触。

本发明的实施例也涉及一种体声波谐振器组件，至少两个体声波谐振器，所述至少两个体声波谐振器中的至少一个为上述的谐振器。

本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器的制造方法，所述体声波谐振器包括基底，压电层，底电极，顶电极和声学镜，所述方法包括步骤：

在基底上表面围绕所述声学镜的边界或者适于形成所述声学镜的部分的边界形成凹陷部；

在凹陷部内设置导热材料，以及使得导热材料的上表面与所述基底的上表面齐平而形成位于所述凹陷部内的导热结构；

使得底电极至少部分覆盖所述导热结构。

本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器或组件。

本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器或组件。

附图说明

以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：

图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图；

图2为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图(沿图3中的A-A’线截得的截面图)；

图3为图2中所示的体声波谐振器的示意性俯视图；