[发明专利]具有时变错误率的存储器中的抢先式读取刷新在审
申请号: | 202010783125.1 | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN112346901A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 谢廷俊;振刚·陈 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有时 错误率 存储器 中的 抢先 读取 刷新 | ||
本申请案涉及具有时变错误率的存储器中的抢先式读取刷新。存储器子系统中的处理装置从主机系统接收读取请求,所述读取请求识别存储于存储器组件的片段中的数据,以及使用第一读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行第一读取操作。所述处理装置确定存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据是否成功地经解码。响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据成功地经解码,所述处理装置确定所述存储器组件的所述片段的写读延迟时间,且确定所述片段的所述写读延迟时间是否落在所述存储器组件的多个写读延迟范围中的第一写读延迟范围内,其中所述第一写读延迟范围表示对应于所述第一读取电压电平的第一多个写读延迟时间。响应于所述片段的所述写读延迟时间不落在所述第一写读延迟范围内,所述处理装置使用适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段的至少一部分执行读取刷新操作。
技术领域
本发明的实施例大体上涉及存储器子系统,且更具体来说,涉及具有时变错误率的存储器中的抢先式读取刷新。
背景技术
存储器子系统可为存储系统、存储器模块或存储装置和存储器模块的混合。存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说,主机系统可利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。
发明内容
在一个方面中,本发明涉及一种系统,其包括:存储器组件;以及处理装置,其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作:从主机系统接收读取请求,所述读取请求识别存储于存储器组件的片段中的数据;使用第一读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行第一读取操作;确定存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据是否成功地经解码;响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据成功地经解码,确定所述存储器组件的所述片段的写读延迟时间;确定所述片段的所述写读延迟时间是否落在所述存储器组件的多个写读延迟范围中的第一写读延迟范围内,其中所述第一写读延迟范围表示对应于所述第一读取电压电平的第一多个写读延迟时间;以及响应于所述片段的所述写读延迟时间不落在所述第一写读延迟范围内,使用适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段的至少一部分执行读取刷新操作。
在另一方面中,本发明涉及一种存储器子系统的操作的方法,其包括:使用第一读取电压电平对存储器组件的片段执行第一读取操作;确定使用所述第一读取电压电平的所述第一读取操作成功,但所述第一读取电压电平不满足读取电平准则;识别满足所述读取电平准则的适用读取电压电平;以及使用所述适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段的至少一部分执行读取刷新操作。
在又一方面中,本发明涉及一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体,所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置进行以下操作:从主机系统接收读取请求,所述读取请求识别存储于存储器组件的片段中的数据;使用第一读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行第一读取操作;确定存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据是否成功地经解码;响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据成功地经解码,确定所述存储器组件的所述片段的写读延迟时间;确定所述片段的所述写读延迟时间是否落在所述存储器组件的多个写读延迟范围中的第一写读延迟范围内,其中所述第一写读延迟范围表示对应于所述第一读取电压电平的第一多个写读延迟时间;以及响应于所述片段的所述写读延迟时间不落在所述第一写读延迟范围内,使用适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段的至少一部分执行读取刷新操作。
附图说明
根据下文给出的详细描述和本发明的各种实施例的附图,将更充分地理解本发明。
图1说明根据本发明的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
图2是根据本发明的一些实施例的在具有时变错误率的存储器中执行抢先式读取刷新的实例方法的流程图。
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