[发明专利]具有时变错误率的存储器中的抢先式读取刷新在审
申请号: | 202010783125.1 | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN112346901A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 谢廷俊;振刚·陈 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F3/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有时 错误率 存储器 中的 抢先 读取 刷新 | ||
1.一种系统,其包括:
存储器组件;以及
处理装置,其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作:
从主机系统接收读取请求,所述读取请求识别存储于存储器组件的片段中的数据;
使用第一读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行第一读取操作;
确定存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据是否成功地经解码;
响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据成功地经解码,确定所述存储器组件的所述片段的写读延迟时间;
确定所述片段的所述写读延迟时间是否落在所述存储器组件的多个写读延迟范围中的第一写读延迟范围内,其中所述第一写读延迟范围表示对应于所述第一读取电压电平的第一多个写读延迟时间;以及
响应于所述片段的所述写读延迟时间不落在所述第一写读延迟范围内,使用适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段的至少一部分执行读取刷新操作。
2.根据权利要求1所述的系统,其中为了对所述存储器组件的所述片段的至少所述部分执行所述读取刷新操作,所述处理装置将对跨越所述存储器组件的RAID条带中的多个码字的子集中的一个执行所述读取刷新操作,其中所述多个码字的所述子集未能经解码且使用RAID来恢复。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述第一读取电压电平是与所述存储器组件相关联的多个读取电压电平中的最低读取电压电平,且其中所述写读延迟时间表示当所述数据写入到所述片段时的第一时间与当识别所述数据的所述读取请求发出到所述存储器组件时的第二时间之间的差。
4.根据权利要求3所述的系统,其中为了确定所述存储器组件的所述片段的所述写读延迟时间,所述处理装置将进行以下操作:
读取与所述存储器组件的所述片段中的所述数据一起存储的时戳,所述时戳指示当写入所述数据时的所述第一时间。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
在所述读取刷新操作之前将存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据返回到所述主机系统。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第一读取操作期间读取的所述数据未成功地经解码,使用第二读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行第二读取操作。
7.根据权利要求6所述的系统,其中所述第二读取电压电平高于所述第一读取电压电平。
8.根据权利要求6所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
确定存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第二读取操作期间读取的所述数据是否成功地经解码;以及
响应于存储于所述存储器组件的所述片段中且在所述第二读取操作期间读取的所述数据成功地经解码,确定所述存储器组件的所述片段的所述写读延迟时间。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述处理装置进一步进行以下操作:
确定所述片段的所述写读延迟时间是否落在所述存储器组件的所述多个写读延迟范围中的第二写读延迟范围内,其中所述第二写读延迟范围表示对应于所述第二读取电压电平的第二多个写读延迟时间;以及
响应于所述片段的所述写读延迟时间不落在所述第二写读延迟范围内,使用所述适用读取电压电平对所述存储器组件的所述片段执行所述读取刷新操作。
10.根据权利要求1所述的系统,其中所述适用读取电压电平对应于所述存储器组件的所述多个写读延迟范围中的写读延迟范围,所述片段的所述写读延迟时间落在所述写读延迟范围中。
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