[发明专利]一种抗弯曲光纤的制造方法及其对应的光纤

说明书

本发明提供了一种抗弯曲光纤的制造方法，其制造形成的抗弯曲光纤适合室内狭窄环境的密集布线。一种抗弯曲光纤的制造方法，包含如下步骤：S1.通过VAD法制备松散体，松散体包含芯层和内包层；S2.松散体完成沉积后转入烧结炉进行脱水和烧结，得到烧结芯棒；S3.烧结芯棒进行延伸，得到第一延伸芯棒；S4.第一延伸芯棒、掺氟套管、合成套管进行酸洗，酸洗后先将掺氟套管插入合成套管中，再将第一延伸芯棒插入掺氟套管中形成组装芯棒；S5.对组装芯棒进行延伸，得到第二延伸芯棒；S6.第二延伸芯棒、不含氯的合成石英套管进行组装得到光纤预制棒，对该光纤预制棒进行拉丝，得到抗弯曲光纤。

技术领域

本发明涉及光纤通信的技术领域，具体为一种抗弯曲光纤的制造方法，本发明还提供了一种抗弯曲光纤。

背景技术

光纤接入网(Access Network)是信息高速公路的“最后一公里”，实现信息的高速传输以及电信运营商和终端用户之间的高质量、高带宽可靠连接，不仅要有宽带的主干传输网络，用户接入部分更是关键。光纤接入网的应用场景较为复杂，如楼宇、街道、房屋中，光纤节点多、曲折布线多，光纤甚至需要被安放在拥挤的管道中或者经过多次弯曲后被固定在接线盒和插座等具有狭小空间的线路终端设备中，这对光纤的弯曲性能提出更高的要求。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种抗弯曲光纤的制造方法，其制造形成的抗弯曲光纤适合室内狭窄环境的密集布线。

一种抗弯曲光纤的制造方法，包含如下步骤：

S1.通过VAD法制备松散体，松散体包含芯层和内包层，芯层通SiCl₄和GeCl₄原料，内包层通SiCl₄和CF₄原料，松散体的密度为0.24～0.26g/cm³，内包层CF₄原料通过扩散至芯层，对芯层进行F掺杂；

S2.松散体完成沉积后转入烧结炉进行脱水和烧结，得到烧结芯棒；

S3.烧结芯棒进行延伸，得到第一延伸芯棒，第一延伸芯棒的内包层和芯层的直径比值为2.0～3.0，芯层相对折射率差值为0.29％～0.34％，内包层相对折射率差值为-0.12％～-0.04％，其中F对芯层的折射率贡献为-0.08％～-0.03％；

S4.第一延伸芯棒、掺氟套管、合成套管进行酸洗，酸洗后先将掺氟套管插入合成套管中，再将第一延伸芯棒插入掺氟套管中形成组装芯棒，其中掺氟套管的相对折射率差为-0.50％～-0.25％，合成套管以SiCl₄为原料制备，不进行其他掺杂，其相对折射率差为0.01％～0.03％；

S5.对组装芯棒进行延伸，得到第二延伸芯棒，其中，掺氟套管层直径与芯层直径的比值为3.8～4.6，合成套管层直径与芯层直径比值为4.6～5.2；

S6.第二延伸芯棒、不含氯的合成石英套管进行组装得到光纤预制棒，对该光纤预制棒进行拉丝，得到抗弯曲光纤。

优选的，拉丝速度为2000m/min，拉丝采用退火工艺。

一种抗弯曲光纤，其特征在于：其自中心径向而外顺次为芯层、内包层、下陷包层、阻隔层和外包层，所述下陷包层采用掺氟材料，所述阻隔层和外包层均采用合成石英材料，所述阻隔层材料含氯，所述外包层材料不含氯，所述芯层的相对折射率差Δ1为0.29％～0.34％，氟对芯层的折射率贡献为-0.08％～-0.03％，内包层的相对折射率差Δ2为-0.12％～-0.04％，下陷包层的相对折射率差Δ3为-0.50％～-0.25％，阻隔层相对折射率差Δ4为0.01％～0.03％，各层半径满足如下关系：R1＝3.2μm～3.8μm，R2/R1＝2.0～3.0，R3/R1＝3.8～4.6，R4/R1＝4.6～5.2。

其进一步特征在于：