[发明专利]一种抗弯曲光纤的制造方法及其对应的光纤

权利要求书

1.一种抗弯曲光纤的制造方法，包含如下步骤：

S1.通过VAD法制备松散体，松散体包含芯层和内包层，芯层通SiCl₄和GeCl₄原料，内包层通SiCl₄和CF₄原料，松散体的密度为0.24～0.26g/cm³，内包层CF₄原料通过扩散至芯层，对芯层进行F掺杂；

S2.松散体完成沉积后转入烧结炉进行脱水和烧结，得到烧结芯棒；

S3.烧结芯棒进行延伸，得到第一延伸芯棒，第一延伸芯棒的内包层和芯层的直径比值为2.0～3.0，芯层相对折射率差值为0.29％～0.34％，内包层相对折射率差值为-0.12％～-0.04％，其中F对芯层的折射率贡献为-0.08％～-0.03％；

S4.第一延伸芯棒、掺氟套管、合成套管进行酸洗，酸洗后先将掺氟套管插入合成套管中，再将第一延伸芯棒插入掺氟套管中形成组装芯棒，其中掺氟套管的相对折射率差为-0.50％～-0.25％，合成套管以SiCl₄为原料制备，不进行其他掺杂，其相对折射率差为0.01％～0.03％；

S5.对组装芯棒进行延伸，得到第二延伸芯棒，其中，掺氟套管层直径与芯层直径的比值为3.8～4.6，合成套管层直径与芯层直径比值为4.6～5.2；

S6.第二延伸芯棒、不含氯的合成石英套管进行组装得到光纤预制棒，对该光纤预制棒进行拉丝，得到抗弯曲光纤。

2.如权利要求1所述的一种抗弯曲光纤的制造方法，其特征在于：拉丝速度为2000m/min，拉丝采用退火工艺。

3.一种抗弯曲光纤，其特征在于：其自中心径向而外顺次为芯层、内包层、下陷包层、阻隔层和外包层，所述下陷包层采用掺氟材料，所述阻隔层和外包层均采用合成石英材料，所述阻隔层材料含氯，所述外包层材料不含氯，所述芯层的相对折射率差Δ1为0.29％～0.34％，氟对芯层的折射率贡献为-0.08％～-0.03％，内包层的相对折射率差Δ2为-0.12％～-0.04％，下陷包层的相对折射率差Δ3为-0.50％～-0.25％，阻隔层相对折射率差Δ4为0.01％～0.03％，各层半径满足如下关系：R1＝3.2μm～3.8μm，R2/R1＝2.0～3.0，R3/R1＝3.8～4.6，R4/R1＝4.6～5.2。

4.如权利要求3所述的一种抗弯曲光纤，其特征在于：所述芯层所受到的压应力为-50Mpa～-20Mpa。

5.如权利要求3或4所述的一种抗弯曲光纤，其特征在于：光纤在1550nm的衰减系数≤0.185dB/km。

6.如权利要求3或4所述的一种抗弯曲光纤，其特征在于：光纤在1310nm的模场直径为8.2μm～8.8μm，成缆截止波长≤1260nm，光纤零色散波长为1300nm～1324nm。

7.如权利要求6所述的一种抗弯曲光纤，其特征在于：零色散波长为1304nm～1324nm。

8.如权利要求3或4所述的一种抗弯曲光纤，其特征在于：Δ3的取值为-0.34％～-0.26％，R3/R1＝3.8～4.2，该光纤15mm弯曲半径绕10圈的1550nm和1625nm的宏弯附加损耗分别小于0.03dB和0.1dB；10mm弯曲半径绕1圈的1550nm和1625nm的宏弯附加损耗分别小于0.1dB和0.2dB；7.5mm弯曲半径绕1圈的1550nm和1625nm的宏弯附加损耗分别小于0.4dB和0.8dB，零色散斜率小于0.092ps/(nm²·km)。

9.如权利要求3或4所述的一种抗弯曲光纤，其特征在于：Δ3的取值为-0.46％～-0.38％，R3/R1＝4.2～4.6，该光纤15mm弯曲半径绕10圈的1550nm和1625nm的宏弯附加损耗分别小于0.03dB和0.1dB；10mm弯曲半径绕1圈的1550nm和1625nm的宏弯附加损耗分别小于0.03dB和0.1dB；7.5mm弯曲半径绕1圈的1550nm和1625nm的宏弯附加损耗分别小于0.08dB和0.25dB；5mm弯曲半径绕1圈的1550nm和1625nm的宏弯附加损耗分别小于0.15dB和0.45dB，1550nm色散≤18ps/(nm·km)，1625nm色散≤22ps/(nm·km)，零色散斜率小于0.092ps/(nm²·km)。