[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

准备包括晶片内部区域和晶片边缘区域的基板，所述晶片内部区域包括芯片区域和划片槽区域；

在所述基板上依次堆叠模制层和支撑层；

在所述支撑层上形成第一掩模层，所述第一掩模层包括在所述晶片边缘区域上的第一台阶区域；

在所述第一台阶区域上形成台阶差补偿图案；

在所述第一掩模层上和在所述台阶差补偿图案上形成包括开口的第二掩模图案；以及

使用所述第二掩模图案作为蚀刻掩模依次蚀刻所述第一掩模层、所述支撑层和所述模制层，以在至少所述模制层中形成多个孔。

2.根据权利要求1所述的方法，在形成所述台阶差补偿图案之前还包括：

在所述第一掩模层上共形地形成第三掩模层，使得所述第三掩模层的顶表面具有第二台阶区域，所述第二台阶区域通过所述第一台阶区域的转录而位于所述晶片边缘区域上；以及

形成抛光停止图案以覆盖所述第三掩模层的所述第二台阶区域，

其中所述台阶差补偿图案填充所述第二台阶区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

所述第三掩模层和所述台阶差补偿图案包括相同的材料，以及

所述抛光停止图案包括相对于所述台阶差补偿图案具有抛光选择性的材料。

4.根据权利要求2所述的方法，还包括：在形成所述第二掩模图案之前，形成平坦化辅助层以覆盖所述第三掩模层和所述台阶差补偿图案，

其中所述平坦化辅助层通过旋涂方法形成，以及

所述平坦化辅助层由与所述第三掩模层和所述台阶差补偿图案不同的材料形成。

5.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述抛光停止图案和形成所述台阶差补偿图案包括：

在所述第三掩模层上依次堆叠抛光停止层和台阶差补偿层，所述台阶差补偿层填充所述第三掩模层的所述第二台阶区域；

对所述台阶差补偿层执行抛光工艺以暴露在所述晶片内部区域上的所述抛光停止层并在所述晶片边缘区域上形成所述台阶差补偿图案；以及

从所述芯片区域去除所述抛光停止层以形成暴露所述芯片区域上的所述第三掩模层的顶表面的所述抛光停止图案。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述台阶差补偿图案包括硅氧化物层、硅氮化物层或光致抗蚀剂图案。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一台阶区域的深度等于所述台阶差补偿图案的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一掩模层包括：

形成辅助掩模层以覆盖所述第一掩模层的整个顶表面；

在所述辅助掩模层上形成光致抗蚀剂图案；

使用所述光致抗蚀剂图案蚀刻所述辅助掩模层以形成辅助掩模图案；以及

使用所述辅助掩模图案蚀刻所述第一掩模层以形成所述第一台阶区域，

其中所述光致抗蚀剂图案形成为覆盖所述晶片内部区域上的所述辅助掩模层并暴露所述晶片边缘区域上的所述辅助掩模层。

9.根据权利要求1所述的方法，在形成所述台阶差补偿图案之前，还包括：

在所述第一掩模层上形成第三掩模层；以及

在所述第三掩模层上形成平坦化辅助层，其中

所述台阶差补偿图案形成在所述平坦化辅助层上，

所述第三掩模层通过沉积工艺形成，以及

所述平坦化辅助层通过旋涂工艺形成。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述模制层和所述支撑层之间形成弯曲抑制层，

其中所述弯曲抑制层包括相对于所述模制层和所述支撑层两者具有蚀刻选择性的材料。