[发明专利]体声波谐振器

说明书

本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器可包括：基板；谐振器单元，包括设置在所述基板上的第一电极、设置在所述第一电极上的压电层以及设置在所述压电层上的第二电极；以及保护层，设置在所述谐振器单元的表面上。所述保护层利用金刚石膜形成，并且所述金刚石膜的晶粒尺寸为50nm或更大。

本申请要求于2019年10月17日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0128802号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器。

背景技术

根据无线通信装置小型化的趋势，期望使高频组件小型化的技术。例如，可使用利用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)型滤波器。

体声波谐振器(BAW)是一种薄膜型元件，该薄膜型元件包括设置在作为半导体基板的硅晶圆上的压电介电材料。BAW使用压电介电材料的压电特性引起谐振。BAW可实现为滤波器。

近来，对5G通信的技术兴趣一直在增加，并且正在进行可在5G通信的候选频带中实现的技术的开发。

然而，在使用Sub 6GHz(4GHz至6GHz)频带的5G通信的情况下，由于带宽增加并且通信距离缩短，因此体声波谐振器的信号的强度或功率可能增加。

当体声波谐振器的功率增加时，谐振器的温度趋于线性增加。因此，能够有效地消散由谐振器产生的热的体声波谐振器是有益的。

发明内容

提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：基板；谐振器单元，包括设置在所述基板上的第一电极、设置在所述第一电极上的压电层以及设置在所述压电层上的第二电极；以及保护层，设置在所述谐振器单元的表面上。所述保护层利用金刚石膜形成，并且所述金刚石膜的晶粒尺寸为50nm或更大。

所述压电层可利用氮化铝(AlN)或包含钪(Sc)的氮化铝形成。

所述第二电极可利用钼(Mo)形成。

所述第一电极和所述第二电极可延伸到所述谐振器单元的外部。第一金属层可设置在所述第一电极的在所述谐振器单元外部的部分上，第二金属层可设置在所述第二电极的在所述谐振器单元外部的部分上。所述保护层的至少一部分可设置为接触所述第一金属层和所述第二金属层。

所述保护层的所述至少一部分可设置在所述第一金属层下方和所述第二金属层下方。

所述保护层的设置在所述第一金属层下方的区域或设置在所述第二金属层下方的区域可比所述保护层的设置在所述谐振器单元中的区域厚。

所述第一金属层和所述第二金属层可利用金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)和铝合金中的任意一种形成。

所述第二电极可具有至少一个开口。所述保护层的一部分可设置在所述至少一个开口中并且可直接接触所述压电层。

所述第二电极可具有至少一个开口。所述压电层的一部分可设置在所述至少一个开口中并且可直接接触所述保护层。

所述体声波谐振器还可包括支撑部，所述支撑部设置在所述压电层下方并且使所述压电层部分地隆起，使得所述压电层的隆起的部分设置在所述至少一个开口中。

所述压电层的热导率和所述第二电极的热导率可小于所述保护层的热导率。