[发明专利]体声波谐振器在审
| 申请号: | 202010776725.5 | 申请日: | 2020-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN112688659A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 李泰京;韩相宪;申兰姬;孙晋淑 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 钱海洋;金光军 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 声波 谐振器 | ||
1.一种体声波谐振器,包括:
基板;
谐振器单元,包括:
第一电极,设置在所述基板上;
压电层,设置在所述第一电极上;以及
第二电极,设置在所述压电层上;以及
保护层,设置在所述谐振器单元的表面上,
其中,所述保护层利用金刚石膜形成,并且所述金刚石膜的晶粒尺寸为50nm或更大。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述压电层利用氮化铝或包含钪的氮化铝形成。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其中,所述第二电极利用钼形成。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述第一电极和所述第二电极延伸到所述谐振器单元的外部,
其中,第一金属层设置在所述第一电极的在所述谐振器单元外部的部分上,第二金属层设置在所述第二电极的在所述谐振器单元外部的部分上,并且
其中,所述保护层的至少一部分设置为接触所述第一金属层和所述第二金属层。
5.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其中,所述保护层的所述至少一部分设置在所述第一金属层下方和所述第二金属层下方。
6.根据权利要求5所述的体声波谐振器,其中,所述保护层的设置在所述第一金属层下方的区域或设置在所述第二金属层下方的区域比所述保护层的设置在所述谐振器单元中的区域厚。
7.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其中,所述第一金属层和所述第二金属层利用金、金-锡合金、铜、铜-锡合金、铝和铝合金中的任意一种形成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的体声波谐振器,其中,所述第二电极具有至少一个开口,并且
所述保护层的一部分设置在所述至少一个开口中并且直接接触所述压电层。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的体声波谐振器,其中,所述第二电极具有至少一个开口,并且
其中,所述压电层的一部分设置在所述至少一个开口中并且直接接触所述保护层。
10.根据权利要求9所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括支撑部,所述支撑部设置在所述压电层下方并且使所述压电层部分地隆起,使得所述压电层的隆起的部分设置在所述至少一个开口中。
11.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述压电层的热导率和所述第二电极的热导率小于所述保护层的热导率。
12.根据权利要求1所述的体声波谐振器,所述体声波谐振器还包括插入层,所述插入层部分地设置在所述谐振器单元中,并且设置在所述第一电极和所述压电层之间,
其中,所述压电层的至少一部分通过所述插入层而隆起。
13.根据权利要求12所述的体声波谐振器,其中,所述第二电极具有至少一个开口,并且
其中,所述插入层还包括设置在与所述开口的区域对应的区域中的支撑部。
14.根据权利要求12所述的体声波谐振器,其中,所述插入层还包括倾斜表面,并且
所述压电层包括设置在所述第一电极上的压电部和设置在所述倾斜表面上的倾斜部。
15.根据权利要求14所述的体声波谐振器,其中,在所述谐振器单元的截面中,所述第二电极的端部设置在所述倾斜部上,或者沿着所述压电部和所述倾斜部之间的边界设置。
16.根据权利要求14所述的体声波谐振器,其中,所述压电层还包括设置在所述倾斜部的外部的延伸部,并且
其中,所述第二电极的至少一部分设置在所述延伸部上。
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