[发明专利]一种晶圆清洗设备

说明书

本发明提供了一种晶圆清洗设备，属于半导体加工设备技术领域，包括：支撑台，设有装卸支架，装卸支架适于接收晶圆；喷淋管，喷淋管适于连接水源，喷淋管上表面具有上出水孔，下表面具有下出水孔；本发明提供的晶圆清洗设备，在支撑台上转动安装有喷淋管，喷淋管上表面具有上出水孔，下表面具有下出水孔，在支撑台上的装卸支架接收晶圆时，喷淋管处于第二位置，通过上出水孔对晶圆的下表面进行喷淋，当装卸支架接收晶圆后，喷淋管移动至第一位置，通过下出水孔对晶圆的上表面进行喷淋，使晶圆在完成抛光步骤后，无需经过专门的清洗设备，即可在移动至支撑台的过程中完成对晶圆的清洗，减少了晶圆的传输步骤。

技术领域

本发明涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种晶圆清洗设备。

背景技术

在制造工艺过程中，CMP(化学机械抛光)设备主要用于对晶圆在膜沉积工艺后的微观粗糙表面进行全局平坦化处理，以便进行后续的半导体工艺过程。经过CMP设备处理后的晶圆需要进行清洗，才能移动至晶圆清洗设备，在晶圆清洗设备的带动下进入下一步工艺，而对晶圆进行清洗时，通常需要将晶圆移动至一个专门的清洗设备内对晶圆进行清洗，再将晶圆移动至晶圆清洗设备上，步骤繁琐，且可能使晶圆在传输过程中发生损伤。

发明内容

因此，本发明提供一种晶圆清洗设备。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种晶圆清洗设备，包括：

支撑台，设有装卸支架，所述装卸支架适于接收晶圆；

喷淋管，转动安装在支撑台上，并设于装卸支架一侧，所述喷淋管适于连接水源，所述喷淋管上表面具有上出水孔，下表面具有下出水孔；

所述喷淋管具有通过下出水孔对所述晶圆的上表面进行喷淋的第一位置，以及在转动后深入到所述晶圆下方，通过上出水孔对所述晶圆的下表面进行喷淋操作的第二位置。

作为一种优选的技术方案，还包括：安装支架，固定安装在支撑台的下方，所述安装支架上设置有连接支架，所述喷淋管设置在所述连接支架上并可相对所述安装支架进行转动。

作为一种优选的技术方案，还包括：升降装置，设置在所述安装支架上，所述升降装置的活动端连接在所述连接支架上。

作为一种优选的技术方案，所述升降装置为气缸。

作为一种优选的技术方案，还包括转动装置，所述转动装置设置在所述连接支架上，适于驱动所述喷淋管进行转动。

作为一种优选的技术方案，所述转动装置包括：

驱动电机，与连接支架固定连接，所述驱动电机的驱动端与管路径向固定连接；

传动件，作用在所述驱动电机与所述喷淋管之间。

作为一种优选的技术方案，所述传动件包括：

设置在所述驱动电机的驱动端的主动带轮；

设置在所述喷淋管的管路上的从动带轮；以及

连接在所述主动带轮与所述从动带轮之间的皮带。

作为一种优选的技术方案，所述驱动电机通信连接有控制器。

作为一种优选的技术方案，还包括：超声波发生装置，适于为所述喷淋管提供带声波的水。

作为一种优选的技术方案，所述喷淋管的长度大于晶圆的直径。

作为一种优选的技术方案，所述上出水孔和下出水孔均设有电磁阀，电磁阀与控制器通信连接。

本发明技术方案，具有如下优点：