[发明专利]一种芯片的静电感应破坏测试方法有效
| 申请号： | 202010769906.5 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112130008B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨利华 | 申请（专利权）人： | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 静电感应 破坏 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片的静电感应破坏测试方法，其特征在于：
测试时被测芯片放在不锈钢工作台上，被测芯片衬底面向静电电子枪枪头，静电电子枪的枪头对准芯片衬底进行放电测试，放电时，在系统级静电枪的枪头和不锈钢工作台之间产生急剧变化的电场，电场穿过芯片器件层。
2.如权利要求项1的一种芯片的静电感应破坏测试方法，其特征还在于：当被测芯片衬底的最外面覆盖金属片时，静电电子枪的枪头直接接触金属片，进行放电测试；当被测芯片衬底最外面覆盖绝缘层时，静电电子枪的枪头直接接触绝缘层，进行放电测试；当被测芯片衬底外面的绝缘层被去除，露出贴片胶时，静电电子枪的枪头直接接触贴片胶，进行放电测试；当被测芯片背面完全露出衬底时，静电电子枪的枪头直接接触芯片衬底，进行放电测试。
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