[发明专利]基板表面的抛光方法在审
| 申请号： | 202010765312.7 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114068299A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黄海冰 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 抛光 方法 | ||
1.一种基板表面的抛光方法，其特征在于，包括：
将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；
用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；
在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。
2.如权利要求1所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，在所述用化学液对所述基板的表面进行处理之前，所述方法还包括：
控制所述样品台转动，以带动所述基板以预设转速旋转。
3.如权利要求2所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述预设转速为3000-3500rpm。
4.如权利要求1所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述用化学液对所述基板的表面进行处理，具体为：
向所述基板的表面喷洒化学液，以在所述基板的表面形成一层液体薄膜。
5.如权利要求1或4所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液由氢氟酸和去离子水组成，所述氢氟酸溶液中的氢氟酸与去离子水的体积比为1：45000。
6.如权利要求1或4所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述化学溶液的温度为20-25℃。
7.如权利要求1所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述混合气体的供给量为4400SCCM。
8.如权利要求7所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述混合气体的通入时间为10-40分钟。
9.如权利要求1所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述工艺腔内的压力为800-1000mTorr。
10.如权利要求1所述的基板表面的抛光方法，其特征在于，所述基座的温度为80-100℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
