[发明专利]基板表面的抛光方法

说明书

本发明涉及微电子技术领域，公开了一种基板表面的抛光方法，该方法包括：将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。采用本发明实施例，能够在保护基板内的铜结构的同时，可有效去除刻蚀后基片表面产生的残余物，具有良好的抛光效果。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别是涉及一种基板表面的抛光方法。

背景技术

基板，也称为基片，其材质一般是玻璃或者陶瓷等。在微电子行业中，在采取液体化学液、反应气体和等离子体对基板进行刻蚀后，会在基板表面产生氮化物等残余杂质，影响基板表面的清洁度和光滑度，从而导致最终器件的良率下降，因此，为了防止最终器件的良率下降，刻蚀后产生的氮化物等残余杂质必须在下一段工艺开始前去除。目前，通常是利用酸和氧化剂的液态混和液来去除基板表面的氮化物等残余杂质，从而对基板表面进行抛光，然而，这种方法的抛光效果不好。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种基板表面的抛光方法，在保护基板内的铜结构的同时，可有效去除刻蚀后基片表面产生的残余物，具有良好的抛光效果。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种基板表面的抛光方法，包括：

将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；

用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；

在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。

作为上述方案的改进，在所述用化学液对所述基板的表面进行处理之前，所述方法还包括：

控制所述样品台转动，以带动所述基板以预设转速旋转。

作为上述方案的改进，所述预设转速为3000-3500rpm。

作为上述方案的改进，所述用化学液对所述基板的表面进行处理，具体为：

向所述基板的表面喷洒化学液，以在所述基板的表面形成一层液体薄膜。

作为上述方案的改进，所述氢氟酸溶液由氢氟酸和去离子水组成，所述氢氟酸溶液中的氢氟酸与去离子水的体积比为1：45000。

作为上述方案的改进，所述化学溶液的温度为20～25℃。

作为上述方案的改进，所述混合气体的供给量为4400SCCM。

作为上述方案的改进，所述混合气体的通入时间为10-40分钟。

作为上述方案的改进，所述工艺腔内的压力为800-1000mTorr。

作为上述方案的改进，所述基座的温度为80-100℃。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：