[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、显示面板及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上形成遮光层；将具有遮光层的基板置于腔室内，并向腔室内通入前处理气体，并对基板进行前处理；向腔室内通入第一缓冲层气体，以去除残留的前处理气体；向腔室内通入第一缓冲层气体和第二缓冲层气体，以在遮光层远离基板的一侧形成缓冲层；在缓冲层远离基板的一侧形成有源层，有源层是由金属氧化物半导体材料形成的。通过避免前处理气体与第二缓冲层气体的接触，减少了杂质颗粒的形成，提高了薄膜晶体管的良品率。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及薄膜晶体管的制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

有机发光二级管或有机发光显示(OrganicLightEmitTIng Diode，OLED)是自20世纪中期发展起来的一种新型显示技术。OLED作为一种电流型发光器件已越来越多地被应用于高性能显示中。根据其自发光的特性，OLED按驱动方式分为有源驱动(Active MatrixOrganic Light Emitting Diode,AMOLED)和无源驱动(Passive Matrix Organic LightEmitting Diode,PMOLED)两种模式。AMOLED是通过驱动电路来驱动发光二极管，最大程度的减少了控制线路的数量，使其具备低能耗，高分辨率，快速响应和其他优良光电特性。此外，AMOLED还具有高对比度、超轻薄、可弯曲等诸多优点。因此AMOLED逐渐成为OLED显示的主流技术。薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板是目前AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到其发展方向。然而，目前的AMOLED产品具有亮点高发，产品良品率较低的问题。

因此，目前的薄膜晶体管制备方法、显示面板和显示装置仍有待改进。

发明内容

本申请是基于发明人对以下问题的发现而做出的：

发明人发现，基于氧化物的薄膜晶体管(TFT)包括遮光层、有源层、源漏极及栅极等结构。遮光层用于保护有源层不被外界光照影响。并且，为了防止氢元素对氧化物薄膜晶体管的有源层(例如可以是IGZO材料形成的)造成影响，需要在遮光层和有源层之间加入缓冲层，确保AMOLED产品的特性。但目前缓冲层的制备极易导致缓冲层产生颗粒，颗粒处的有源层材料被颗粒顶起，造成该位置处的有源层和栅极发生短路，进而导致AMOLED产品亮点高发，降低了产品良品率。并且发明人发现，缓冲层颗粒(或称为杂质颗粒)的化学组分多为氮化硅。

本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

在本申请的一个方面，本发明提出了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上形成遮光层；将具有所述遮光层的所述基板置于腔室内，并向所述腔室内通入前处理气体，并对所述基板进行前处理；向所述腔室内通入第一缓冲层气体，以去除残留的所述前处理气体；向所述腔室内通入所述第一缓冲层气体和所述第二缓冲层气体，以在所述遮光层远离所述基板的一侧形成缓冲层；在所述缓冲层远离所述基板的一侧形成有源层，所述有源层是由金属氧化物半导体材料形成的。通过避免前处理气体与第二缓冲层气体的接触，减少了杂质颗粒的形成，提高了薄膜晶体管的良品率。

根据本发明的实施例，进行所述前处理时，所述腔室内NH₃含量小于千分之一，即前处理气体中NH₃气体的体积比小于千分之一。由此，可减少腔室氮元素的含量，降低杂质颗粒形成的可能。

根据本发明的实施例，所述第一缓冲层气体Si含量小于万分之一，所述第二缓冲层气体中含有Si。由此，可降低氮元素与硅元素接触形成氮化硅杂质颗粒的可能。

根据本发明的实施例，所述第一缓冲层气体为N₂O，所述第二缓冲层气体中含有SiH₄，所述第一缓冲层气体以及所述第二缓冲层气体的体积比范围为(90:1)～(40:1)。由此，可形成稳定的二氧化硅缓冲层。