[发明专利]薄膜晶体管的制备方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成遮光层；

将具有所述遮光层的所述基板置于腔室内，并向所述腔室内通入前处理气体，并对所述基板进行前处理；所述前处理气体中NH₃气体的体积比小于千分之一；

向所述腔室内通入第一缓冲层气体，以去除残留的所述前处理气体；所述第一缓冲层气体Si含量小于万分之一；

向所述腔室内通入所述第一缓冲层气体和第二缓冲层气体，以在所述遮光层远离所述基板的一侧形成缓冲层；所述第二缓冲层气体中含有Si；

在所述缓冲层远离所述基板的一侧形成有源层，所述有源层是由金属氧化物半导体材料形成的。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层气体为N₂O，所述第二缓冲层气体中含有SiH₄，所述第一缓冲层气体以及所述第二缓冲层气体的体积比范围为(90:1)～(40:1)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除残留的所述前处理气体时所述第一缓冲层气体的流量，和形成所述缓冲层时所述第一缓冲层气体的流量一致。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除残留的所述前处理气体时，向所述腔室内通入所述第一缓冲层气体的时间为3-8s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前处理包括：形成N₂等离子体，并利用所述N₂等离子体对所述基板进行所述前处理，

所述前处理气体为N₂。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述前处理包括：

向所述腔室内通入所述N₂的流量为30000-60000毫托；

随后打开等离子体电源，以形成所述N₂等离子体，利用所述N₂等离子体对所述基板进行所述前处理的时间为15-25s。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板，以及位于所述基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极与所述薄膜晶体管的源漏极相连，

所述薄膜晶体管是利用权利要求1-6任一项所述的方法制备的。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。