[发明专利]静电卡盘装置及干法刻蚀机台在审
申请号: | 202010760408.4 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111863695A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 江森林;彭国发 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 装置 刻蚀 机台 | ||
本发明提供一种静电卡盘装置及干法刻蚀机台,所述静电卡盘装置包括静电卡盘及边缘环组件,所述边缘环组件包括第一边缘环和第二边缘环,所述第一边缘环围绕所述静电卡盘装置的轴线设置于所述静电卡盘的外周,所述第一边缘环具有围绕所述自身轴线周向分布的第一斜坡;所述第二边缘环用于沿轴向与所述第一边缘环可拆卸地连接,所述第二边缘环具有围绕自身轴线周向分布的第二斜坡;所述第一斜坡和所述第二斜坡用于相互抵靠,以限定所述第二边缘环相对于所述第一边缘环的径向位置。通过设置第一斜坡和第二斜坡相抵靠以装配第一边缘环和第二边缘环,能够避免基板在机台内下降过程中刮到第二边缘环,从而延长机台的使用周期并提高基板产品的良品率。
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域,特别涉及一种静电卡盘装置及干法刻蚀机台。
背景技术
如图1a示出的一种静电卡盘装置的示意图,静电卡盘装置设置在LAM 2300 Metal机台内,其包括第一边缘环01、第二边缘环02及静电卡盘03,第一边缘环01和第二边缘环02通过图1a中示出的装配结构进行装配,且第一边缘环01和第二边缘环02共轴围绕静电卡盘03。
LAM 2300 Metal机台每次保养时都需要重新装配第一边缘环01和第二边缘环02。如图1b所示,当前的静电卡盘装置中第一边缘环01和第二边缘环02重新装配时易产生装配偏边的问题,即第二边缘环02与第一边缘环01不共轴,从而导致晶圆04在机台内下降过程中易刮到第二边缘环02使晶圆04产生缺陷,进而报废。
发明内容
本发明的目的在于提供一种静电卡盘装置及干法刻蚀机台,以解决静电卡盘装置中边缘环装配易偏边的问题。
为解决上述技术问题,基于本发明的一个方面,本发明提供一种静电卡盘装置,其包括静电卡盘及边缘环组件,所述边缘环组件包括第一边缘环和第二边缘环,所述第一边缘环围绕所述静电卡盘的轴线设置于所述静电卡盘的外周,所述第一边缘环具有围绕所述自身轴线周向分布的第一斜坡;所述第二边缘环用于沿轴向与所述第一边缘环可拆卸地连接,所述第二边缘环具有围绕自身轴线周向分布的第二斜坡;所述第一斜坡和所述第二斜坡用于相互抵靠,以限定所述第二边缘环相对于所述第一边缘环的径向位置。
可选的,所述第一斜坡沿朝向所述第二边缘环的方向向内倾斜,所述第二斜坡沿朝向所述第一边缘环的方向向外倾斜;所述第一斜坡与所述第一边缘环的轴线成第一夹角,所述第二斜坡与所述第二边缘环的轴线成第二夹角,所述第一夹角与所述第二夹角相等。
可选的,所述第一斜坡沿朝向所述第二边缘环的方向向外倾斜,所述第二斜坡沿朝向所述第一边缘环的方向向内倾斜;所述第一斜坡与所述第一边缘环的轴线成第一夹角,所述第二斜坡与所述第二边缘环的轴线成第二夹角,所述第一夹角与所述第二夹角相等。
可选的,所述第一夹角与所述第二夹角的范围在30°~60°之间。
可选的,所述第一边缘环和所述第二边缘环用于相互装配后,所述第一边缘环和所述第二边缘环共轴线。
可选的,所述第一斜坡呈环状,和/或,所述第二斜坡呈环状。
可选的,所述第一斜坡包括多个第一子坡段,多个所述第一子坡段围绕所述第一边缘环的轴线均匀分布;和/或,所述第二斜坡包括多个第二子坡段,多个所述第二子坡段围绕所述第二边缘环的轴线均匀分布。
可选的,所述静电卡盘包括基台及设置于所述基台上的凸台,所述凸台用于承载一基板,所述基台与所述第一边缘环连接;所述第二边缘环具有沿轴向贯通的内孔,所述内孔的径向内尺寸大于所述凸台的径向外尺寸,所述内孔用于供所述凸台穿设;所述凸台与所述第二边缘环之间的径向间距为第一间隙。
可选的,所述第一间隙的范围在0.8~1.6mm之间。
基于本发明的另一个方面,本发明还提供一种干法刻蚀机台,其包括如上所述的静电卡盘装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造