[发明专利]半导体存储器件的制作方法有效
| 申请号： | 202010760383.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111863727B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;冯立伟;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 制作方法 | ||
1.一种半导体存储器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体基板；
进行一第一掺杂工艺在所述半导体基板中形成阱区；
在所述阱区形成之后，在所述半导体基板中形成字线；
在所述字线形成之后，在相邻两所述字线之间的所述半导体基板上形成位线接触孔露出第一有源区；
对所述位线接触孔露出的所述第一有源区进行一第二掺杂工艺；
在所述第二掺杂工艺之后，在所述半导体基板上形成位线接触件与位线，其中所述位线接触件与所述掺杂后的第一有源区连接；
在所述位线之间形成间隔件，所述间隔件与所述位线在所述半导体基板上界定出存储单元接触孔并且露出第二有源区；
对所述存储单元接触孔露出的所述第二有源区进行一第三掺杂工艺；以及
在所述第三掺杂工艺之后，在所述存储单元接触孔中形成存储节点接触件，其中所述存储节点接触件与所述掺杂后的第二有源区连接。
2.如权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于，更包含在所述阱区形成之后在所述半导体基板中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述半导体基板划分为多个有源区，所述第一有源区与所述第二有源区包含在所述有源区中。
3.如权利要求2所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于，每个所述有源区包含一个位于所述有源区中央的所述第一有源区以及位于所述有源区两侧的所述第二有源区。
4.如权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于，更包含在所述间隔件形成之后进行一刻蚀工艺刻蚀所述存储单元接触孔内的所述半导体基板，使得所述存储单元接触孔内的所述半导体基板凹陷。
5.如权利要求1所述的半导体存储器件的制作方法，其特征在于，所述掺杂后的第一有源区的深度比所述掺杂后的第二有源区的深度深。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
