[发明专利]非易失性存储器装置

说明书

提供了一种具有改进的操作性能和可靠性的非易失性存储器装置。所述非易失性存储器装置包括：衬底；衬底上的外围电路结构；模塑结构，其包括交替地堆叠在外围电路结构上的多个绝缘图案和多个栅电极；沟道结构，其穿过模塑结构；第一杂质图案，其在模塑结构上与沟道结构的第一部分接触，并且具有第一导电类型；以及第二杂质图案，其在模塑结构上与沟道结构的第二部分接触，并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型。

相关申请的交叉引用

该申请要求于2019年8月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0093632的优先权，该申请的内容全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及一种非易失性存储器装置及其制造方法。更具体地说，本发明构思涉及一种具有COP(外围上单元)结构的非易失性存储器装置及其制造方法。

背景技术

为了满足消费者对高性能和低成本的要求，非易失性存储器装置的集成度不断提高。在二维存储器装置或平面存储器装置的情况下，集成度由单位存储器单元所占的面积确定。因此，已经开发了单位存储器单元垂直布置的三维存储器装置。

为了进一步提高非易失性存储器装置的集成度，已经研究了一种单元阵列位于外围电路上的COP(外围上单元)结构。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种具有提高的操作性能和可靠性的非易失性存储器装置。

本发明构思的一些实施例提供了一种用于制造具有提高的操作性能和可靠性的非易失性存储器装置的方法。

然而，本发明构思的一些实施例不限于本文所阐述的。通过参照下面给出的本发明构思的详细描述，本发明构思的以上和其它方面将对于本发明构思所属领域的普通技术人员之一而言变得更加清楚。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：衬底；衬底上的外围电路结构；模塑结构，其包括交替地堆叠在外围电路结构上的多个绝缘图案和多个栅电极；沟道结构，其穿过模塑结构；第一杂质图案，其在模塑结构上与沟道结构的第一部分接触，并且具有第一导电类型；以及第二杂质图案，其在模塑结构上与沟道结构的第二部分接触，并且具有与第一导电类型不同的第二导电类型。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：衬底；衬底上的层间绝缘层；位线，其在层间绝缘层中在第一方向上延伸；模塑结构，其包括交替地堆叠在层间绝缘层上的多个绝缘图案和多个栅电极；沟道结构，其穿过模塑结构，并且连接至位线；以及源结构，其与模塑结构上的沟道结构的上部接触。源结构包括与沟道结构的第一区重叠的第一杂质图案、与沟道结构的第二区重叠的第二杂质图案以及与沟道结构的第三区重叠并且将第一杂质图案与第二杂质图案分离的分离图案。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：衬底；衬底上的外围电路结构；位线，其在外围电路结构上在第一方向上延伸；模塑结构，其包括交替地堆叠在位线上的多个绝缘图案和多个栅电极；多个沟道结构，其穿过模塑结构，沟道结构中的每一个的下部连接至位线；以及源结构，其连接至模塑结构上的沟道结构中的每一个的上部，其中，源结构包括与沟道结构中的每一个的第一区重叠的第一杂质图案、与沟道结构中的每一个的第二区重叠的第二杂质图案以及与沟道结构中的每一个的第三区重叠并且将第一杂质图案与第二杂质图案分离的分离图案，第一杂质图案包括n型杂质，并且第二杂质图案包括p型杂质。

附图说明

从以下结合附图的实施例的描述中，这些和/或其它方面将变得清楚和更容易理解，在附图中：

图1是用于解释根据一些实施例的非易失性存储器装置的布局图；

图2是沿图1的线A-A截取的剖视图；