[发明专利]非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

衬底；

所述衬底上的外围电路结构；

模塑结构，其包括交替地堆叠在所述外围电路结构上的多个绝缘图案和多个栅电极；

沟道结构，其穿过所述模塑结构；

第一杂质图案，其在所述模塑结构上与所述沟道结构的第一部分接触，并且具有第一导电类型；以及

第二杂质图案，其在所述模塑结构上与所述沟道结构的第二部分接触，并且具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：

分离图案，其在所述模塑结构上将所述第一杂质图案和所述第二杂质图案分离。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一杂质图案的上表面与所述第二杂质图案的上表面共面。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，

其中，从平面视角看，所述第一杂质图案与所述沟道结构的第一部分重叠，并且所述第二杂质图案与所述沟道结构的第二部分重叠。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中，所述沟道结构的与所述第一杂质图案重叠的第一区以及所述沟道结构的与所述第二杂质图案重叠的第二区各自具有半圆形或者弧形。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中，所述沟道结构的与所述第一杂质图案重叠的第一区的大小与所述沟道结构的与所述第二杂质图案重叠的第二区的大小不同。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述沟道结构包括穿过所述模塑结构的半导体图案和位于所述半导体图案与所述多个栅电极中的栅电极之间的信息存储层。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一杂质图案和所述第二杂质图案与所述半导体图案的上表面接触。

9.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，其中，所述信息存储层包括堆叠在所述半导体图案上的隧道绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。

10.一种非易失性存储器装置，包括：

衬底；

所述衬底上的层间绝缘层；

位线，其在所述层间绝缘层中在第一方向上延伸；

模塑结构，其包括交替地堆叠在所述层间绝缘层上的多个绝缘图案和多个栅电极；

沟道结构，其穿过所述模塑结构，并且连接至所述位线；以及

源结构，其与所述模塑结构上的沟道结构的上部接触，

其中，所述源结构包括第一杂质图案、第二杂质图案和分离图案，所述第一杂质图案与所述沟道结构的第一区重叠，所述第二杂质图案与所述沟道结构的第二区重叠，所述分离图案与所述沟道结构的第三区重叠并且将所述第一杂质图案与所述第二杂质图案分离。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，所述分离图案在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，还包括：

立柱，其连接至所述沟道结构的下部；以及

位线接触件，其将所述立柱与所述位线连接。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器装置，其中，所述立柱包括多晶硅。

14.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，还包括：

所述层间绝缘层中的外围电路结构，

其中，所述外围电路结构包括所述衬底上的外围电路元件以及将所述外围电路元件与所述位线连接的布线结构。

15.根据权利要求10所述的非易失性存储器装置，其中，所述第一杂质图案的上表面、所述第二杂质图案的上表面以及所述分离图案的上表面共面。