[发明专利]光刻返工方法及灰化设备

说明书

本申请公开了一种光刻返工方法及灰化设备，包括：将晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上，灰化设备上设置有至少三个所述突起结构；对晶圆上的光阻进行灰化处理，灰化处理的温度大于250摄氏度；对灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理。本申请通过在对晶圆进行光刻返工的工序中，将晶圆放置于设置有突起结构的灰化设备的载片台上，在高于250摄氏度的温度下对晶圆表面的光阻进行灰化处理，再对灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理，由于突起结构能够隔离晶圆和载片台，从而使晶圆的温度不至于过热，解决了由于灰化处理中温度过高使得晶圆上的金属再结晶所导致的后续工艺中出现光阻剥离问题，提高了器件的制造良率。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻返工方法及灰化设备。

背景技术

在半导体制造业中，光刻是利用光学-化学反应原理，使掩模版上的图形转移到光阻上，然后再通过化学或者物理刻蚀的方法，将光阻上的图形转移到半导体晶圆表面，从而形成图形的工艺技术。

在光刻过程中，可能会遇到对准问题，晶圆被拒问题等状况，需要将已经曝光显影后的光阻去除，重新悬涂、曝光、显影形成图形，该工序被称为光刻返工(rework)制程。

然而，在金属互连结构(尤其是金属铝(Al)互连结构)的制作过程中，通过光刻返工工序后形成的图形形貌较差，出现了光阻剥落(photoresist peeling)现象，从而导致器件的制造良率较低。

发明内容

本申请提供了一种光刻返工方法及灰化设备，可以解决相关技术中提供的光刻返工方法会导致后续的工序形成的图形形貌较差，器件的制造良率较低的问题。

一方面，本申请实施例提供了一种光刻返工方法，所述方法应用于对晶圆进行光刻工艺后，所述方法包括：

将所述晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上，所述灰化设备上设置有至少三个所述突起结构；

对所述晶圆上的光阻进行灰化(Ash)处理，所述灰化处理的温度大于250摄氏度(℃)；

对所述灰化处理后的光阻进行湿法剥离(wet strip)处理。

可选的，所述突起结构的高度大于5毫米(mm)。

可选的，所述对所述灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理之后，还包括：

将所述晶圆放置于涂胶设备上，在所述晶圆表面悬涂光阻；

对所述光阻依次进行曝光和显影，形成图形。

可选的，所述对所述灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理之后，还包括：

通过光学显微镜(optic microscope，OM)对所述晶圆的表面形貌进行检测；

当所述晶圆的表面形貌符合返工标准时，执行所述悬涂光阻的步骤。

可选的，所述通过光学显微镜对所述晶圆的表面形貌进行检测之后，还包括：

当所述晶圆的表面形貌不符合所述返工标准时，重新执行所述灰化处理步骤。

可选的，所述对所述光阻进行曝光，形成图形之后，还包括：

量测所述图形的关键尺寸(critical dimension，CD)；

当所述图形的关键尺寸满足工艺标准时，对所述图形进行显影后检测(afterdevelop inspection，ADI)。

可选的，所述量测所述图形的关键尺寸之后，还包括：

当所述图形的关键尺寸不满足所述工艺标准时，重新执行所述灰化处理步骤。

可选的，所述对所述图形进行显影后检测之后，还包括：