[发明专利]光刻返工方法及灰化设备

权利要求书

1.一种光刻返工方法，其特征在于，所述方法应用于对晶圆进行光刻工艺后，所述方法包括：

将所述晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上，所述灰化设备上设置有至少三个所述突起结构；

对所述晶圆上的光阻进行灰化处理，所述灰化处理的温度大于250摄氏度；

对所述灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述突起结构的高度大于5毫米。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理之后，还包括：

将所述晶圆放置于涂胶设备上，在所述晶圆表面悬涂光阻；

对所述光阻依次进行曝光和显影，形成图形。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理之后，还包括：

通过光学显微镜对所述晶圆的表面形貌进行检测；

当所述晶圆的表面形貌符合返工标准时，执行所述悬涂光阻的步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述通过光学显微镜对所述晶圆的表面形貌进行检测之后，还包括：

当所述晶圆的表面形貌不符合所述返工标准时，重新执行所述灰化处理步骤。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述光阻进行曝光，形成图形之后，还包括：

量测所述图形的关键尺寸；

当所述图形的关键尺寸满足工艺标准时，对所述图形进行显影后检测。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述量测所述图形的关键尺寸之后，还包括：

当所述图形的关键尺寸不满足所述工艺标准时，重新执行所述灰化处理步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述图形进行显影后检测之后，还包括：

当所述图形没有通过所述显影后检测时，重新执行所述灰化处理步骤。

9.一种灰化设备，其特征在于，包括：

载片台，所述载片台上设置有至少三个突起结构，所述突起结构用于在温度大于250摄氏度的处理温度下，支撑所述晶圆对所述晶圆上的光阻进行灰化处理，所述晶圆是经过了光刻工艺的处理后，需要进行光刻返工的晶圆。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述突起结构的高度大于5毫米。