[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成硬掩模于基底上；

形成第一轴心体以及第二轴心体于该硬掩模上；

形成第一间隙壁以及第二间隙壁环绕该第一轴心体以及第三间隙壁以及第四间隙壁环绕该第二轴心体；

去除该第二轴心体；

形成图案化掩模于该第一轴心体、该第一间隙壁、该第二间隙壁、该第三间隙壁以及该第四间隙壁上；以及

利用该图案化掩模去除该第三间隙壁以及该硬掩模。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成第一衬垫层于该基底上；

形成第二衬垫层于该第一衬垫层上；以及

在形成该第二衬垫层后形成该硬掩模。

3.如权利要求2所述的方法，其中该第一衬垫层以及该第二衬垫层包含不同材料。

4.如权利要求2所述的方法，还包含：

去除该图案化掩模；以及

利用该第一轴心体、该第一间隙壁、该第二间隙壁以及该第四间隙壁去除该硬掩模、该第二衬垫层、该第一衬垫层以及该基底以形成基座以及鳍状结构。

5.如权利要求4所述的方法，另包含于去除该图案化掩模后进行鳍状结构切割制作工艺。

6.如权利要求5所述的方法，另包含于进行该鳍状结构切割制作工艺后去除该硬掩模、该第二衬垫层、该第一衬垫层以及该基底。

7.如权利要求4所述的方法，其中该基座以及该鳍状结构间的基底表面包含上凹曲面。

8.如权利要求4所述的方法，其中该基座以及该鳍状结构间的基底表面包含下凹曲面。

9.一种半导体元件，其特征在于，包含：

基座，设于基底上；以及

第一鳍状结构，设于该基座旁，其中设于该基座以及该第一鳍状结构间的基底表面包含第一上凹曲面。

10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该基座顶部切齐该鳍状结构顶部。

11.如权利要求9所述的半导体元件，另包含第二鳍状结构设于该第一鳍状结构旁，其中该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构间的基底表面包含第二上凹曲面。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一上凹曲面以及该第二上凹曲面包含相同曲率。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一上凹曲面以及该第二上凹曲面包含不同曲率。

14.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构间的线宽小于该基座以及该第一鳍状结构间的线宽。

15.一种半导体元件，其特征在于，包含：

基座，设于基底上；以及

第一鳍状结构，设于该基座旁，其中设于该基座以及该第一鳍状结构间的基底表面包含第一下凹曲面。

16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该基座顶部切齐该鳍状结构顶部。

17.如权利要求15所述的半导体元件，另包含第二鳍状结构于该第一鳍状结构旁，其中该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构间的基底表面包含第二下凹曲面。

18.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第一下凹曲面以及该第二下凹曲面包含相同曲率。

19.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第一下凹曲面以及该第二下凹曲面包含不同曲率。

20.如权利要求15所述的半导体元件，其中该第一鳍状结构以及该第二鳍状结构间的线宽小于该基座以及该第一鳍状结构间的线宽。