[发明专利]一种单晶硅片清洗装置及工艺

说明书

本发明属于单晶清洗技术领域，尤其是一种单晶硅片清洗装置及工艺，包括十个连续设置的清洗槽以及用于放置单晶硅片的过滤篮；十个清洗槽依次为第一浸泡槽、第二超声溢流槽、第三超声清洗槽、第四超声清洗槽、第五超声溢流槽、第六有机清洗槽、第七溢流清洗槽、第八溢流清洗槽、第九溢流清洗槽、第十提拉槽，第九溢流清洗槽内清洗液溢出至第八溢流清洗槽，第八溢流清洗槽内清洗液溢出至第七溢流清洗槽；过滤篮从第一浸泡槽、第二超声溢流槽、第三超声清洗槽、第四超声清洗槽、第五超声溢流槽、第六有机清洗槽、第七溢流清洗槽、第八溢流清洗槽、第九溢流清洗槽、第十提拉槽依次放入和取出。本发明在实际生产过程中，专项减少单晶硅粉脏污产生率。

技术领域

本发明涉及单晶清洗技术领域，尤其涉及一种单晶硅片清洗装置及工艺。

背景技术

单晶硅片产能飞速发展，迅速挤压原多晶占比产能；随之而来的原多晶清洗工艺已不能适应单晶的清洗，单晶要求更高，工艺更复杂已适应目前的各品种多元化发展。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的原多晶清洗工艺已不能适应单晶清洗的问题，而提出的一种单晶硅片清洗装置及工艺。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种单晶硅片清洗装置，包括十个连续设置的清洗槽以及用于放置单晶硅片的过滤篮；十个清洗槽依次为第一浸泡槽、第二超声溢流槽、第三超声清洗槽、第四超声清洗槽、第五超声溢流槽、第六有机清洗槽、第七溢流清洗槽、第八溢流清洗槽、第九溢流清洗槽、第十提拉槽，其中，第九溢流清洗槽高于第八溢流清洗槽，第八溢流清洗槽高于第七溢流清洗槽，第九溢流清洗槽内清洗液溢出至第八溢流清洗槽，第八溢流清洗槽内清洗液溢出至第七溢流清洗槽；所述过滤篮从第一浸泡槽、第二超声溢流槽、第三超声清洗槽、第四超声清洗槽、第五超声溢流槽、第六有机清洗槽、第七溢流清洗槽、第八溢流清洗槽、第九溢流清洗槽、第十提拉槽依次放入和取出。

作为更进一步的优选方案，所述第一浸泡槽内为稀释的清洗剂，第二超声溢流槽内为纯水，第三超声清洗槽和第四超声清洗槽内均为稀释的清洗剂，第五超声溢流槽内为纯水，第六有机清洗槽内为双氧水与碱的稀释液，第七溢流清洗槽、第八溢流清洗槽、第九溢流清洗槽内均为纯水，第十提拉槽内为高温水。

一种单晶硅片清洗工艺，包括以下步骤：

步骤1：向第一浸泡槽内加入体积分数为2%的清洗剂，第二超声溢流槽、第五超声溢流槽、第七溢流清洗槽、第八溢流清洗槽、第九溢流清洗槽、第十提拉槽中加入纯净水，第六有机清洗槽中加入双氧水溶液和碱的混合液，第三超声清洗槽和第四超声清洗槽中加入碱洗混合液，将单晶硅片至于过滤篮中，连同过滤篮浸入第一浸泡槽的清洗剂中浸泡；

步骤2，取出过滤篮浸入第二超声溢流槽中进行超声溢流清洗，去除硅片上残留的硅粉，溢流速度＞200L/Hour；

步骤3，将过滤篮依次浸入第三超声清洗槽和第四超声清洗槽中进行清洗至表面无明显硅粉残留，清洗温度为50-60℃；

步骤4，将经过第四超声清洗槽清洗后的过滤蓝浸入第五超声溢流槽中50-60℃下进行首次溢流漂洗，溢流速度＞200L/Hour，待液位表面的泡沫全部被带走后停止溢流；

步骤5，将经过第五超声溢流槽的过滤蓝浸入第六有机清洗槽中45-55℃浸泡；

步骤6，将经过第六有机清洗槽处理后的过滤篮，依次经过第七溢流清洗槽、第八溢流清洗槽、第九溢流清洗槽中45-60℃下进行溢流，溢流速度＞200L/Hour；待液位表面的泡沫全部被带走后停止溢流；

步骤7，将经过第九溢流清洗槽的过滤篮浸入第十提拉槽中，浸入前，保证第十提拉槽内的水温达到90-95℃，慢慢拉升，热水在硅片表面蒸发掉一部分；

步骤8，将硅片从过滤篮中取出，80-100℃下进行烘干处理；