[发明专利]一种单晶硅片清洗装置及工艺

权利要求书

1.一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：包括十个连续设置的清洗槽以及用于放置单晶硅片的过滤篮；十个清洗槽依次为第一浸泡槽（1）、第二超声溢流槽（2）、第三超声清洗槽（3）、第四超声清洗槽（4）、第五超声溢流槽（5）、第六有机清洗槽（6）、第七溢流清洗槽（7）、第八溢流清洗槽（8）、第九溢流清洗槽（9）、第十提拉槽（10），其中，第九溢流清洗槽（9）高于第八溢流清洗槽（8），第八溢流清洗槽（8）高于第七溢流清洗槽（7），第九溢流清洗槽（9）内清洗液溢出至第八溢流清洗槽（8），第八溢流清洗槽（8）内清洗液溢出至第七溢流清洗槽（7）；所述过滤篮从第一浸泡槽（1）、第二超声溢流槽（2）、第三超声清洗槽（3）、第四超声清洗槽（4）、第五超声溢流槽（5）、第六有机清洗槽（6）、第七溢流清洗槽（7）、第八溢流清洗槽（8）、第九溢流清洗槽（9）、第十提拉槽（10）依次放入和取出。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片清洗装置，其特征在于：所述第一浸泡槽（1）内为稀释的清洗剂，第二超声溢流槽（2）内为纯水，第三超声清洗槽（3）和第四超声清洗槽（4）内均为稀释的清洗剂，第五超声溢流槽（5）内为纯水，第六有机清洗槽（6）内为双氧水与碱的稀释液，第七溢流清洗槽（7）、第八溢流清洗槽（8）、第九溢流清洗槽（9）内均为纯水，第十提拉槽（10）内为高温水。

3.根据上述权利要求1或2任一所述的一种单晶硅片清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：向第一浸泡槽（1）内加入体积分数为2%的清洗剂，第二超声溢流槽（2）、第五超声溢流槽（5）、第七溢流清洗槽（7）、第八溢流清洗槽（8）、第九溢流清洗槽（9）、第十提拉槽（10）中加入纯净水，第六有机清洗槽（6）中加入双氧水溶液和碱的混合液，第三超声清洗槽（3）和第四超声清洗槽（4）中加入碱洗混合液，将单晶硅片至于过滤篮中，连同过滤篮浸入第一浸泡槽（1）的清洗剂中浸泡；

步骤2，取出过滤篮浸入第二超声溢流槽（2）中进行超声溢流清洗，去除硅片上残留的硅粉，溢流速度＞200L/Hour；

步骤3，将过滤篮依次浸入第三超声清洗槽（3）和第四超声清洗槽（4）中进行清洗至表面无明显硅粉残留，清洗温度为50-60℃；

步骤4，将经过第四超声清洗槽（4）清洗后的过滤蓝浸入第五超声溢流槽（5）中50-60℃下进行首次溢流漂洗，溢流速度＞200L/Hour，待液位表面的泡沫全部被带走后停止溢流；

步骤5，将经过第五超声溢流槽（5）的过滤蓝浸入第六有机清洗槽（6）中45-55℃浸泡；

步骤6，将经过第六有机清洗槽（6）处理后的过滤篮，依次经过第七溢流清洗槽（7）、第八溢流清洗槽（8）、第九溢流清洗槽（9）中45-60℃下进行溢流，溢流速度＞200L/Hour；待液位表面的泡沫全部被带走后停止溢流；

步骤7，将经过第九溢流清洗槽（9）的过滤篮浸入第十提拉槽（10）中，浸入前，保证第十提拉槽（10）内的水温达到90-95℃，慢慢拉升，热水在硅片表面蒸发掉一部分；

步骤8，将硅片从过滤篮中取出，80-100℃下进行烘干处理；

步骤9，将烘干后的硅片取出自然冷却，即可；

其中，步骤1-步骤7中每一种浸泡时间均在160~180秒。

4.根据权利要求3所述的一种单晶硅片清洗工艺，其特征在于，步骤1中所述的碱洗混合液由固体碱、表面活性剂、纯水调制的混合液，所述混合液的体积分数为3~5%，计算对象以固体碱与表面活性剂为混合溶质，所述双氧水溶液为体积分数为7%~10%的双氧水加纯水280~300L混合而成。