[发明专利]清洗机清洗能力的检测方法和检测装置

说明书

本申请提供了清洗机清洗能力的检测方法和检测装置。该方法包括：检测晶圆的表面缺陷，得到初始缺陷信息；将晶圆暴露在无尘空间内第一预定时长，使得无尘空间内的微粒子吸附在晶圆的表面上，得到污染的晶圆；检测污染的晶圆的表面缺陷，得到污染缺陷信息；采用清洗机台对污染后的晶圆清洗；检测清洗后的晶圆的表面缺陷，得到清洗缺陷信息；根据初始缺陷信息、污染缺陷信息以及清洗缺陷信息确定清洗机台的清洗能力。该方法基本可以忽略无法去除的晶圆缺陷对清洗能力的影响，能够准确地检测清洗机台的清洗能力，并且，清洗后的晶圆也可以重复使用，降低了成本，避免了现有技术中的采用PSL标准乳胶球粒子检测方法导致的成本较高的问题。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种清洗机清洗能力的检测方法和检测装置。

背景技术

清洗机主要是用来清洗去除硅片上微粒子污染物的，评价清洗的结果好坏通常是根据清洗后硅片上量测得到的微粒子数量而决定，此种方式虽然简单，但往往受制于被清洗的硅片的品质影响，若被清洗的硅片上的缺陷数量较多，且存在着许多无法由清洗机清洗所移除的缺陷如刮伤、竖坑等，便会影响清洗后的微粒子数量而影响清洗评价的结果。

另外一种作法是将市售的PSL标准乳胶球粒子(由标准粒子产生器制造出)设置在硅片表面上，对该硅片进行清洗，计算清洗前后硅片上的微粒子数量，以评价清洗的能力，此方法较为准确，但是采用该方法后的硅片就无法再使用了，因此，其代价是片子费用较高，使得评价方法的成本较高。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种清洗机清洗能力的检测方法和检测装置，以解决现有技术中的对清洗机清洗能力的检测方法难以同时达到准确且低成本的问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种清洗机清洗能力的检测方法，包括：检测晶圆的表面缺陷，得到初始缺陷信息，所述初始缺陷信息包括初始缺陷数量和/或各初始缺陷的坐标；将所述晶圆暴露在无尘空间内第一预定时长，使得所述无尘空间内的微粒子吸附在所述晶圆的表面上，得到污染的所述晶圆；检测污染的所述晶圆的表面缺陷，得到污染缺陷信息，所述污染缺陷信息包括污染后的缺陷数量和/或各污染缺陷的坐标，所述污染缺陷为污染后的所述晶圆的缺陷；采用清洗机台对污染后的所述晶圆清洗；检测清洗后的所述晶圆的表面缺陷，得到清洗缺陷信息，所述清洗缺陷信息包括清洗后剩余的缺陷数量和/或各清洗缺陷的坐标，所述清洗缺陷为清洗后的所述晶圆的缺陷；根据所述初始缺陷信息、所述污染缺陷信息以及所述清洗缺陷信息确定所述清洗机台的清洗能力。

可选地，根据所述初始缺陷信息、所述污染缺陷信息以及所述清洗缺陷信息确定所述清洗机台的清洗能力，包括：根据所述初始缺陷信息、所述污染缺陷信息以及所述清洗缺陷信息得到判定值，所述判定值为缺陷数量差值或者缺陷数量比值，所述缺陷数量差值为所述晶圆在所述无尘空间中增加的缺陷数量和所述清洗机台清洗去除的缺陷数量的差值，所述缺陷数量比值为所述清洗机台清洗去除的缺陷数量与所述晶圆在所述无尘空间中增加的缺陷数量的比值；根据所述判定值，确定所述清洗机台的清洗能力。

可选地，所述初始缺陷信息包括所述初始缺陷数量，所述污染缺陷信息包括所述污染后的缺陷数量，所述清洗缺陷信息包括所述清洗后剩余的缺陷数量，根据所述初始缺陷信息、所述污染缺陷信息以及所述清洗缺陷信息得到判定值，包括：根据所述初始缺陷数量以及所述污染后的缺陷数量，确定所述晶圆在所述无尘空间中增加的缺陷数量；根据所述污染后的缺陷数量以及所述清洗后剩余的缺陷数量，确定所述清洗机台清洗去除的缺陷数量；对所述增加的缺陷数量和所述清洗去除的缺陷数量作差，得到所述缺陷数量差值，或者，对所述清洗去除的缺陷数量和所述增加的缺陷数量作比，得到所述缺陷数量比值。