[发明专利]一种功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺

权利要求书

1.一种功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、硅棒零点设置：通过设备工件台将粘接好的硅棒悬挂于线网正上方，硅棒下缘与线网相切的位置为零点；

S2、设置喷淋方式为溢流式喷淋；

S3、添加切割液；

S4、设置工件台台速：入刀阶段金刚线运行速度为600m/min-700m/min，金刚线运行加速度为3m/s²-5m/s²，台速为350μm/min-450μm/min；台速拉升阶段台速升高至850μm/min；收刀阶段台速为550μm/min-650μm/min，金刚线运行速度为800m/min-900m/min；

S5、设置单步周期耗线：耗线拉升阶段，设单步周期耗线为Z，设台速为T，硅棒直径为R，比例系数为k1，工件台进给位置为L，则耗线拉升阶段单步周期耗线恒定耗线阶段的单步周期耗线为耗线拉升阶段的最大值；耗线降低阶段设单步周期耗线为Z’，设台速为T’，硅棒直径为R，比例系数为k2，工件台进给位置为L’，则耗线降低阶段单步周期耗线

S6、开始切割，硅棒从-0.5mm的位置以步骤S4中所述台速下压，线网以往复切割的方式对硅棒进行切割，直至切割完成。

2.根据权利要求1所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，步骤S2中，设置喷淋装置的溢流管底端距离线网高度为2.5-4mm。

3.根据权利要求1所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，步骤S3中，所述切割液为有机分散剂和RO纯水的混合液。

4.根据权利要求3所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，所述有机分散剂和RO纯水的体积比为1：250～3：250。

5.根据权利要求4所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，步骤S3中，设置切割液的初始温度为20±2℃，切割液的流量为80L/min～100L/min。

6.根据权利要求1所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，步骤S4中，设置入刀阶段送线量为900m-1400m，入刀阶段硅棒进给量为1mm-2mm。

7.根据权利要求1所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，步骤S6中，线网采用直径为70μm的金刚线。

8.根据权利要求1所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，切割完成后，将硅切片放入加有脱胶剂的池子中进行脱胶，脱胶剂采用乳酸，脱胶温度为80℃-90℃，脱胶时间为20min。

9.根据权利要求8所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，所述乳酸与水的体积配比为乳酸：水＝1：4-6。

10.根据权利要求6所述的功率器件用半导体硅切片金刚线切割工艺，其特征在于，脱胶后，对硅切片进行清洗，在水中添加碱性清洗剂，体积配比为清洗剂：水＝1:20-25，清洗完硅切片之后，对硅切片进行甩干处理。