[发明专利]等离子体天线模组及等离子体处理装置

说明书

本公开涉及等离子体天线模组及等离子体处理装置。本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：等离子体天线；接地部，电连接于等离子体天线的一侧；电源供应部，向等离子体天线的另一侧供应电源；以及迂回部，介于等离子体天线和电源供应部之间或者等离子体天线和接地部之间。迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点。在多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下，迂回部形成与第一路径不同的第二路径。迂回部根据包括在第二路径中的接点的数量，控制向等离子体天线流入的电流值。

技术领域

本公开涉及一种等离子体天线模组，更详细地涉及一种用于单独控制向各个等离子体天线流入的电流的等离子体天线模组。

背景技术

等离子体处理装置大体上有感应耦合等离子体源(Inductively Coupled PlasmaSource，ICP)型和电容耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma Source，CCP)型，也在使用能够制造更高的等离子体密度的新的等离子体源型即线圈波等离子体和ECR(电子回旋共振等离子体，Electron cyclotron resonance plasma)等离子体源型等。

等离子体处理装置可以通过供应到等离子体天线的电源而将工艺气体形成为等离子体，能够利用所形成的等离子体来处理基板(例如，蚀刻、蒸镀等)。在此情况下，等离子体的密度可以成为决定基板的处理速度的重要要素中一个。

但是，根据处理等离子体的环境条件，等离子体的密度发生变化，因此存在并不是基板整体以相同的速度被处理而处理速度局部性不同的问题，例如可能发生基板一部分以快的速度被处理而另一部分以慢的速度被处理的问题。进而，在被供应向等离子体天线供应的高电压的电源的情况下，存在应稳定地控制向等离子体天线流入的电流的必要性。

发明内容

本说明书中公开的实施例提供一种通过单独控制向各个等离子体天线流入的电流而能够局部性调节等离子体密度的等离子体天线模组。

本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：等离子体天线；接地部，电连接于等离子体天线的一侧；电源供应部，向等离子体天线的另一侧供应电源；以及迂回部，介于等离子体天线和电源供应部之间或者等离子体天线和接地部之间。迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点。在多个接点中2个以上的附加地彼此接点连接的情况下，迂回部形成与第一路径不同的第二路径。迂回部根据包括在第二路径中的接点的数量，控制向等离子体天线流入的电流值。

本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：第一等离子体天线；接地部，电连接于第一等离子体天线的一侧；电源供应部，向第一等离子体天线的另一侧供应电源；以及迂回部，介于第一等离子体天线和电源供应部之间或者第一等离子体天线和接地部之间。迂回部包括位于第一路径上的彼此连接的多个接点。在多个接点中2个以上的接点附加地彼此连接的情况下，迂回部形成具有比第一路径短的长度的第二路径来控制向第一等离子体天线流入的电流值。

本公开的一实施例的等离子体天线模组包括：第一等离子体天线；第一接地部，电连接于第一等离子体天线的一侧；电源供应部，向第一等离子体天线的另一侧供应电源；以及第一迂回部，介于第一等离子体天线和电源供应部之间或者第一等离子体天线和第一接地部之间。第一迂回部包括：第一接点，位于第一路径上；第二接点，与第一接点隔开而位于第一路径上；第一基本电路，通过第一接点和第二接点彼此连接来形成，并包括在第一路径中；以及第一迂回电路，将第一接点和第二接点附加地彼此连接来形成，并包括在与第一路径不同的第二路径中。第一迂回电路具有比第一基本电路短的长度，从而控制向第一等离子体天线流入的电流值。