[发明专利]用于形成自对准互连结构的方法

权利要求书

1.一种用于光刻图案化的方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底的顶部部分中的导电特征；

在所述衬底之上沉积抗蚀剂层，其中，所述抗蚀剂层具有曝光阈值；

向所述抗蚀剂层提供具有入射曝光剂量的辐射，其中，所述入射曝光剂量被配置为小于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，而所述入射曝光剂量和来自所述导电特征的顶表面的反射曝光剂量之和大于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，从而在所述导电特征之上形成潜在抗蚀剂图案；以及

显影所述抗蚀剂层以形成图案化抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述潜在抗蚀剂图案位于所述导电特征正上方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电特征包括涂覆在块状金属上的反射层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述反射层包括不同于所述块状金属的第一金属。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述反射层包括含金属合金。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述反射层包括多个交替的重复层。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在沉积所述抗蚀剂层之前，在所述衬底之上形成电介质层；

在显影所述抗蚀剂层之后，使用所述图案化抗蚀剂层作为蚀刻掩模来蚀刻所述电介质层，从而形成暴露所述导电特征的所述顶表面的开口；以及

在所述开口中沉积导电材料，从而形成连接在所述导电特征上的导电结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导电特征包括涂覆在块状金属上的反射层，所述方法还包括：

部分蚀刻所述反射层以暴露所述块状金属，使得所述导电结构连接在所述块状金属上。

9.一种用于光刻图案化的方法，包括：

在衬底的顶部部分中形成第一导电特征；

在所述衬底之上形成电介质层；

部分凹陷所述电介质层以在所述第一导电特征之上形成沟槽；

在所述电介质层之上涂覆抗蚀剂层，所述抗蚀剂层填充所述沟槽；

将所述抗蚀剂层暴露在辐射中，其中，所述辐射的入射曝光剂量被配置为使得在所述沟槽中形成潜在抗蚀剂图案；

显影所述抗蚀剂层以在所述抗蚀剂层中形成开口；

通过所述抗蚀剂层中的所述开口蚀刻所述电介质层，从而使所述沟槽的一部分延伸穿过所述电介质层；以及

在所述沟槽中形成第二导电特征并且使所述第二导电特征与所述第一导电特征接触。

10.一种半导体结构，包括：

衬底；

第一导电特征，嵌入在所述衬底的顶部部分中；

电介质层，位于衬底之上；以及

第二导电特征，被所述电介质层包围并且与所述第一导电特征接触，所述第二导电特征具有第一侧壁以及与所述第一侧壁相对的第二侧壁，其中，所述第一侧壁具有直形轮廓并且位于所述第一导电特征之上，并且其中，所述第二侧壁具有阶形轮廓并且所述阶形轮廓的顶部部分从所述第一导电特征的边缘水平地偏移。