[发明专利]一种显示面板的制作方法和显示面板

说明书

本申请公开了一种显示面板的制作方法和显示面板，包括形成阵列基板的制程，形成阵列基板的制程包括步骤：在玻璃基板上形成预设图案的缓冲层；将形成有缓冲层的玻璃基板放入电化学沉积装置中，进行电化学沉积，形成与缓冲层对应的铜合金金属层；对铜合金金属层进行加热退火处理，形成第一金属层；在第一金属层上依次形成绝缘层、有源层、第二金属层、钝化层和透明电极层，其中，第一金属层包括缓冲层和铜合金金属层。本方案中，由于使用电化学沉积的方式，省去了刻蚀工艺，从而提升良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法和显示面板。

背景技术

在显示面板中，显示面板包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，其中TFT包括栅极、源极和漏极，栅极、源极和漏极是由金属构成，通常使用的是Al(铝)，Al/Mo(铝/钼),Al/Ti(铝/钛)等组合而成，但是随着对显示面板的需求越来越高，Al由于低的电导率已很难满足快速的电子传输需求，Cu(铜)工艺由于诸多优点已成为下一代TFT的开发趋势和工艺需求。

通常Cu制程会存在一些问题，例如刻蚀问题，刻蚀差异使得图形化面临良率低和成本高的难题。

发明内容

本申请的目的是提供一种显示面板的制作方法和显示面板，节能环保，改善电镀的高污染高能耗问题。

本申请公开了一种显示面板的制作方法，包括形成阵列基板的制程，形成所述阵列基板的制程包括步骤：

在玻璃基板上形成预设图案的缓冲层；

将形成有缓冲层的玻璃基板放入电化学沉积装置中，进行电化学沉积，形成与缓冲层对应的铜合金金属层；

对铜合金金属层进行加热退火处理，形成第一金属层；以及

在第一金属层上依次形成绝缘层、有源层、第二金属层、钝化层和透明电极层；

其中，第一金属层包括缓冲层和铜合金金属层。

可选的，所述在玻璃基板上形成预设图案的缓冲层的步骤中，所述缓冲层包括钼缓冲层或钼合金缓冲层。

可选的，所述将形成有缓冲层的玻璃基板放入电化学沉积装置中，进行电化学沉积，形成与缓冲层对应的铜合金金属层的步骤包括子步骤：

将形成有钼缓冲层或钼合金缓冲层的玻璃基板和对电极放入电化学沉积液中；

施加脉冲电压使对电极和钼缓冲层或钼合金缓冲层形成电流回路以生成一种或多种金属单质；以及

一种或多种金属单质沉积在钼缓冲层或钼合金缓冲层的表面形成铜合金金属层。

可选的，所述将形成有缓冲层的玻璃基板放入电化学沉积装置中，进行电化学沉积，形成与缓冲层对应的铜合金金属层，所述电化学沉积液中包括二价铜离子和铬酸根离子。

可选的，所述施加脉冲电压使对电极和钼缓冲层或钼合金缓冲层形成电流回路以生成一种或多种金属单质的步骤包括子步骤：

先施加电位为0.3419V的脉冲电压40秒至80秒，使对电极和钼缓冲层或钼合金缓冲层形成电流回路，促使电化学沉积液中二价铜离子发生还原反应，生成铜单质；

然后施加电位为-0.740V的脉冲电压5秒至10秒，使对电极和钼缓冲层或钼合金缓冲层形成电流回路，生成铬单质，以获得铜合金金属层。

可选的，所述将形成有缓冲层的玻璃基板放入电化学沉积装置中，进行电化学沉积，形成与缓冲层对应的铜合金金属层的步骤包括子步骤：

将形成有钼缓冲层或钼合金缓冲层的玻璃基板放入含有二价铜离子的电化学沉积液中，沉积30秒至100秒，生成铜金属单质；以及